| 主权项 |
1.一种清洁在其内表面具有沉积的化学汽相沉积处理室的方法,包括系一种或多种气体中形成电浆,此类气体包括一种含氟却不含其他卤素的非全球暖化化合物,且其使在电浆中产生的物种与处理室内表面接触,附带说明此非全球暖化化合物不是三氟乙酸酐。2.如申请专利范围第1项的方法,其中的非全球暖化化合物,在标准温度和压力下是单相气体状态。3.如申请专利范围第2项的方法,其中的非全球暖化化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),1,1,3,3-四氟丙-1,2-二烯(CF2CCF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3OCFCF2),1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙烯(CF3CFCF2),五氟丙醯氟化物(CF3CF2CFO),2,2-二氟-3,3-双(三氟甲基)环氧丙烷(CF2OC(CF3)2),三氟乙醯氟化物(CF3CFO),乙醨氟化物(CH3CFO),八氟环戊烯(C5F8),草醯氟化物((COF)2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。4.如申请专利范围第1项的方法,其中的非全球暖化化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),CFOCF2CFO,三氟甲醇(CF3OH),二氟甲醇(CHF2OH),二氟氧氟甲烷(CHF2OF),全氟二乙基醚(C2F5OC2F5),1,1,3,3-四氟二甲基醚(CHF2OCHF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),六氟二甲基醚(CF3OCF3),六氟二乙烯基醚(CF2CFOCFCF2),七氟丙基三氟乙烯基醚(C3F7OCFCF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3CFCF2),1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙烯(CF3CFCF2),六氟环丙烷(CF2CF2CF2),1,1,1,3,3,3-六氟异丙醇((CF3)2CHOH),六氟-2-三氟甲基-2-丙醇((CF3)3COH),1,1,2,2-四氟乙基三氟甲基醚(CF3OCF2CHF2),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH),1,1,3,3-四氟丙-1,2-二烯(CF2CCF2),五氟丙醯氟化物(CF3CF2CFO),2,2-二氟-3,3-双(三氟甲基)环氧乙烷(CF2OC(CF3)2),三氟乙醯氟化物(CF3CFO),乙醯氟化物(CH3CFO),八氟环戊烯(C5F8),草醯氟化物((COF)2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。5.如申请专利范围第4项的方法,其中的非全球暖化化合物是三氟甲醇(CF3OH),二氟甲醇(CHF2OH),1,1,1,3,3,3-六氟异丙醇((CF3)2CHOH),六氟-2-三氟甲基-2-丙醇((CF3)3COH),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH)或上述化合物之组合。6.如申请专利范围第4项的方法,其中的非全球暖化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),全氟二乙基醚(C2F5OC2F5),1,1,3,3-四氟二甲基醚(CHF2OCHF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),六氟二甲基醚(CF3OCF3),六氟二乙烯基醚(CF2CFOCFCF2),七氟丙基三氟乙烯基醚(C3F7OCFCF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3OCFCF2),1,1,2,2-四氟乙基三氟甲基醚(CF3OCF2CHF2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。7.如申请专利范围第1项的方法,其中的是一种或多种气体进一步包括一种含氧气体,其不同于非全球暖化化合物。8.如申请专利范围第7项的方法,其中的含氧气体是臭氧或一氧化氮。9.如申请专利范围第1项的方法,其中在处理室内表面的沉积包括一种矽氧化物或矽氮化物。10.如申请专利范围第1项的方法,其中在处理室内表面的沈积包括铝,铜或钨。11.如申请专利范围第1项的方法,其中电浆产生于处理室内部。12.如申请专利范围第1项的方法,其中电浆产生于处理室的上游。13.如申请专利范围第1项的方法,其中电浆是微波产生或诱导耦合电浆。14.如申请专利范围第1项的方法,其中电浆是一种RF大容量耦合电浆。15.一种在矽晶圆上蚀刻一层的方法,包括以下步骤:(a)引入矽晶圆进入处理室,矽晶圆包括要蚀刻的一层;和(b)从一种或多种气体形成电浆,此类气体包括一种含氟而不含其他卤素的非全球暖化化合物,并使产生于电浆的活性物种与矽晶圆接触,藉此蚀刻该层,附带说明非全球暖化化合物不是三氟乙酸酐。16.如申请专利范围第15项的方法,其中要蚀刻的一层是一介电质层。17.如申请专利范围第16项的方法,其中要蚀刻的一层是矽氧化物,矽氮化物或矽氮氧化物层。18.如申请专利范围第14项的方法,其中要蚀刻的一层是一金属层。19.如申请专利范围第18项的方法,其中要蚀刻的一层包括铝,铜或钨。20.如申请专利范围第15项的方法,其中非全球暖化化合物在标准温度和压力下,是单相气体状态。21.如申请专利范围第20项的方法,其中的非全球暖化化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),1,1,3,3-四氟丙-1,2-二烯(CF2CCF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3OCFCF2),1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙烯(CF3CFCF2),五氟丙醯氟化物(CF3CF2CFO),2,2-二氟-3,3-双(三氟甲基)环氧丙烷(CF2OC(CF3)2),三氟乙醯氟化物(CF3CFO),乙醨氟化物(CH3CFO),八氟环戊烯(C5F8),草醯氟化物((COF)2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。22.如申请专利范围第15项的方法,其中非全球暖化化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),CFOCF2CFO,三氟甲醇(CF3OH),二氟甲醇(CHF2OH),二氟氧氟甲烷(CHF2OF),全氟二乙基醚(C2F5OC2F5),1,1,3,3-四氟二甲基醚(CHF2OCHF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),六氟二甲基醚(CF3OCF3),六氟二乙烯基醚(CF2CFOCFCF2),七氟丙基三氟乙烯基醚(C3F7OCFCF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3OCFCF2),1,1,2,3,3,3-六氟-1-丙烯(CF3CFCF2),六氟环丙烷(CF2CF2CF2),1,1,1,3,3,3-六氟异丙醇((CF3)2CHOH),六氟-2-三氟甲基-2-丙醇((CF3)3COH),1,1,2,2-四氟乙基三氟甲基醚(CF3OCF2CHF2),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH),1,1,3,3-四氟丙-1,2-二烯(CF2CCF2),五氟丙醯氟化物(CF3CF2CFO),2,2-二氟-3,3-双(三氟甲基)环氧丙烷(CF2OC(CF3)2),三氟乙醯氟化物(CF3CFO),乙醨氟化物(CH3CFO),八氟环戊烯(C5F8),草醯氟化物((COF)2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。23.如申请专利范围第22项的方法,其中的非全球暖化化合物是三氟甲醇(CF3OH),二氟甲醇(CHF2OH),1,1,1,3,3,3-六氟异丙醇((CF3)2CHOH),六氟-2-三氟甲基-2-丙醇((CF3)3COH),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH),1,1,2,2-四氟乙醇(CHF2CF2OH),1,1,2,2-四氟乙二醇(CF2OHCF2OH)或上述化合物之组合。24.如申请专利范围第22项的方法,其中的非全球暖化化合物是六氟环氧丙烷(CF3CFOCF2),全氟二乙基醚(C2F5OC2F5),1,1,3,3-四氟二甲基醚(CHF2OCHF2),1,2,2,2-四氟乙基二氟甲基醚(CF3CHFOCHF2),六氟二甲基醚(CF3OCF3),六氟二乙烯基醚(CF2CFOCFCF2),七氟丙基三氟乙烯基醚(C3F7OCFCF2),全氟甲基乙烯基醚(CF3OCFCF2),1,1,2,2-四氟乙基三氟甲基醚(CF3OCF2CHF2),1,1,1-三氟丙酮(CF3COCH3)或上述化合物之组合。25.如申请专利范围第15项的方法,其中一种或多种气体进一步包括一种含氧气体,其不同于非全球暖化化合物。26.如申请专利范围第25项的方法,其中含氧气体是臭氧或一氧化氮。27.如申请专利范围第25项的方法,其中电浆产生于处理室内部。28.如申请专利范围第25项的方法,其中电浆产生于处理室的上游。29.如申请专利范围第25项的方法,其中电浆是微波产生或感应耦合电浆。30.如申请专利范围第25项的方法,其中电浆是一种RF大容量耦合电浆。31.一种清洁电浆增强化学汽相沉积处理室的方法,包括以下步骤:将六氟丙烯氧化物(CF3CFOCF2)引入处理室且形成一电浆,藉以清洁处理室。32.一种在矽晶圆上蚀刻介电膜或金属膜的方法,包括以下步骤:将一个具有介电膜或金属膜的矽晶圆引入处理室,将六氟丙烯氧化物(CF3CFOCF2)引入处理室且形成电浆,藉以蚀刻介电膜或金属膜。图式简单说明:第一图阐述了一个传统电浆处理工具,其可用于实施此发明的方法。 |
