| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体记忆胞电容器之制造方法,包括下列步骤:蚀刻在一半导体基底上之一第一绝缘层以形成一储存接触窗开口;用一第一导电材料填满该储存节点接触窗开口以形成一储存接触窗插塞;形成一第二绝缘层覆盖该第一绝缘层,包括该储存接触窗插塞;于该第二绝缘层上形成一罩幕以定义一储存节点区域;使用该罩幕,并蚀刻该第二绝缘层和该第一绝缘层以形成一开口位于该储存接触窗插塞之一上表面;以及用一第二导电材料填满该开口以形成一储存节点。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层系由复合层薄膜所构成,其包括在此一顺序之一氧化层、一氮化矽层和一电浆加强化学气相沉积氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一绝缘层系由复合层薄膜所构成,其包括在此一顺序之一氧化层,一氮化矽层和一高温氧化层。4.如申请专利范围第2项或第3项所述之方法,其中该氮化矽层具有一厚度约50埃至500埃左右。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该电浆加强化学气相沉积氧化层具有一厚度约100埃至1000埃左右。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该高温氧化层具有一厚度约100埃至1000埃左右。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层包括藉由电浆加强化学气相沉积法形成之氧化层。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二绝缘层具有一厚度约5000埃至13000埃左右。9.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括在形成该储存节点之后,去除该第二绝缘层以及在该储存节点之暴露部分上形成一粗糙表层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中去除该第二绝缘层之该步骤系由湿式蚀刻或乾式蚀刻制程执行。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中形成该粗糙表层之该步骤包括长成一半球型矽晶粒层。图式简单说明:第一图A至第一图C是绘示习知一种动态随机存取记忆体记忆胞电容器之制造流程图;第二图是绘示在第一图A至第一图C中描绘之习知一种传统动态随机存取记忆体记忆胞电容器之剖面图,若是储存接触窗插塞和储存节点之间对不准之情形;第三图A至第三图E是绘示依照本发明一较佳实施例之动态随机存取记忆体记忆胞电容器之制造流程图;以及第四图是绘是依照本发明一较佳实施例之动态随机存取记忆体记忆胞电容器之剖面图,若是有对不准之情形。 |
