| 主权项 |
1.一种用于制造半导体元件的方法,其特征为包含形成一阻障膜于一半导体基板背面并接着形成一铜基金属膜于该半导体基板的主表面上。2.一种用于制造半导体元件的方法,其特征为包含以下各步骤:形成一闸极电极及一扩散层于半导体基板的主表面上,并接着进行一热处理,形成一阻障膜于该半导体基板背面,以及形成一铜基金属膜于该半导体基板主表面上。3.一种用于制造半导体元件的方法,其特征为包含以下步骤:形成一闸极电极及一扩散层于半导体基板的主表面上,并接着进行一热处理,形成一绝缘膜于该闸极电极与扩散层上,并接着在该绝缘膜中形成一连通该闸极电极和/或该扩散层的接触插塞,形成一阻障膜于该半导体基板背面,以及形成一铜基金属膜于该半导体基板主表面上。4.如申请专利范围第1项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成系藉由形成一铜基金属膜并接着将不必要的铜基金属膜部分移除而进行。5.如申请专利范围第2项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成系藉由形成一铜基金属膜并接着将不必要的铜基金属膜部分移除而进行。6.如申请专利范围第3项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成系藉由形成一铜基金属膜并接着将不必要的铜基金属膜部分移除而进行。7.如申请专利范围第4项之用于制造半导体元件的方法,其中该不必要的铜基金属膜部分移除系藉由化学机械抛光进行。8.如申请专利范围第5项之用于制造半导体元件的方法,其中该不必要的铜基金属膜部分移除系藉由化学机械抛光进行。9.如申请专利范围第6项之用于制造半导体元件的方法,其中该不必要的铜基金属膜部分移除系藉由化学机械抛光进行。10.如申请专利范围第4项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成可为使用一铜基金属材料施加一电镀处理,并接着在300℃或更高的基板温度施加一退火处理而进行。11.如申请专利范围第5项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成可为使用一铜基金属材料施加一电镀处理理,并接着在300℃或更高的基板温度施加一退火处理而进行。12.如申请专利范围第6项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜的形成可为使用一铜基金属材料施加一电镀处理,并接着在300℃或更高的基板温度施加一退火处理而进行。13.如申请专利范围第1项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障膜为二氧化矽。14.如申请专利范围第2项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障膜为二氧化矽。15.如申请专利范围第3项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障膜为二氧化矽。16.如申请专利范围第1项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障层层可为由一第一膜(由Ta,TaN,TiN,SiN或SiON所制成)以及一第二膜(为氧化矽膜)所组成之复合膜,而该第二膜被设置于该复合膜的外围。17.如申请专利范围第2项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障层可为由一第膜(由Ta,TaN,TiN,SiN或SiON所制成)以及一第二膜(为氧化矽膜)所组成之复合膜,而该第二膜被设置于该复合膜的外围。18.如申请专利范围第3项之用于制造半导体元件的方法,其中该阻障层可为由一第一膜(由Ta,TaN,TiN,SiN或SiON所制成)以及一第二膜(为氧化矽膜)所组成之复合膜,而该第二膜被设置于该复合膜的外围。19.如申请专利范围第13项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系CVD形成。20.如申请专利范围第14项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系以CVD形成。21.如申请专利范围第15项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系以CVD形成。22.如申请专利范围第16项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系以CVD形成。23.如申请专利范围第17项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系以CVD形成。24.如申请专利范围第18项之用于制造半导体元件的方法,其中该氧化矽膜系以CVD形成。25.如申请专利范围第1项之用于制造半导体元件的方法,其中该铜基金属膜被形成后,该阻障膜表面系以一清洗溶液清洗。26.如申请专利范围第2项之用于制造半导体元件的方法,其中在该铜基金属膜被形成后,该阻障膜表面系以一清洗溶液清洗。27.如申请专利范围第3项之用于制造半导体元件的方法,其中在该铜基金属膜被形成后,该阻障膜表面系以一清洗溶液清洗。28.如申请专利范围第25项之用于制造半导体元件的方法,其中在该清洗溶液包含可与铜基污染物形成错合物的错合剂。29.如申请专利范围第26项之用于制造半导体元件的方法,其中在该清洗溶液包含可与铜基污染物形成错合物的错合剂。30.如申请专利范围第27项之用于制造半导体元件的方法,其中在该清洗溶液包含可与铜基污染物形成错合物的错合剂。31.如申请专利范围第28项之用于制造半导体元件的方法,其中该错合剂包含至少一种由三种化合物之族群所选择的化合物,其中该三种化合物包含(a)聚氨基羧酸,(b)羧酸,除了聚氨基羧酸以外以及(c)氟化铵。32.如申请专利范围第29项之用于制造半导体元件的方法,其中该错合剂包含至少一种由三种化合物之族群所选择的化合物,其中该三种化合物包含(a)聚氨基羧酸,(b)羧酸,除了聚氨基羧酸以外以及(c)氟化铵。33.如申请专利范围第30项之用于制造半导体元件的方法,其中该错合剂包含至少一种由三种化合物之族群所选择的化合物,其中该三种化合物包含(a)聚氨基羧酸,(b)羧酸,除了聚氨基羧酸以外以及(c)氟化铵。图式简单说明:第一图(a)至第一图(c)系为表示用于制造本发明之半导体元件的方法的步骤的剖面图。第二图(a)至第二图(c)系为表示用于制造本发明之半导体元件的方法的步骤的剖面图。第三图(a)与第三图(b)系为表示用于制造本发明之半导体元件的方法的步骤的剖面图。第四图(a)至第四图(c)系为表示用于制造半导体元件的传统方法的步骤的剖面图。第五图(a)与第五图(b)系为表示用于制造半导体元件的传统方法的步骤的剖面图。第六图(a)与第六图(b)系为表示用于制造半导体元件的传统方法的步骤的剖面图。第七图系为表示用于制造半导体元件的传统方法的步骤的剖面图。第八图(a)至第八图(c)系为表示用于制造本发明之半导体元件的方法的步骤的剖面图。第九图(a)与第九图(b)系为表示用于制造本发明之半导体元件的方法的步骤的剖面图。 |
