发明名称 金属内连线的制造方法
摘要 一种金属内连线的制造方法,此方法系在已形成金属线的基底上形成一层衬层,然后在金属线与金属线之间形成一层低介电常数介电层,然后再于基底上,预定形成介层窗之周缘形成图案化的热扩散层。其后,在图案化的热扩散层之间形成另一层低介电常数介电层,并在基底上形成一层平坦化的顶盖层。最后,在顶盖层、热扩散层与衬层之中形成介层窗开口,并于介层窗开口中填入金属层,以形成介层窗。
申请公布号 TW441017 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW089100466 申请日期 2000.01.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 罗吉进
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种金属内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成复数个金属线;于该基底上形成一衬层;于该些金属线之间形成一第一介电层;于该基底上形成复数个图案化的热扩散层;于该些图案化热扩散层之间形成一第二介电层;于该基底上形成一顶盖层;于该顶盖层、该热扩散层与该衬层中形成复数个介层窗开口;以及于该些介层窗开口中填入金属层,以形成复数个介层窗。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质包括有机高分子低介电常数之材料。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该图案化之热扩散层之材质的介电常数不大于4。4.如申请专利范围第3项所述之金属内连线的制造方法,其中该图案化之热扩散层之材质包括氮化铝。5.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该图案化之热扩散层系呈虚拟线状。6.如申请专利范围第1项所述之金属内连线的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氧化矽。7.一种金属内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成复数个金属线;于该基底上形成一衬层;于该些金属线之间形成一第一介电层;于该基底上形成复数个虚拟线状之热扩散层;于该些虚拟线状之热扩散层之间形成一第二介电层;于该基底上形成一顶盖层;于该顶盖层、该虚拟线状之热扩散层与该衬层中形成复数个介层窗开口;以及于该些介层窗开口中填入金属层,以形成复数个介层窗。8.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该第一介电层与该第二介电层之材质包括有机高分子低介电常数之材料。9.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该些虚拟线状之热扩散层之材质的介电常数不大于4。10.如申请专利范围第9项所述之金属内连线的制造方法,其中该虚拟线状之热扩散层之材质包括氮化铝。11.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氧化矽。12.一种金属内连线的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成复数个金属线;于该基底上形成一衬层;于该基底上形成一第一有机高分子介电材料;去除部分该第一有机高分子介电材料,以留下位于该些金属线之间之该第一有机高分子介电材料;于该基底上形成一热扩散层;定义该热扩散层,以形成复数个虚拟线状之热扩散层;于该基底上形成一第二有机高分子介电材料;去除该些虚拟线状之热扩散层上所覆盖的该第二有机高分子介电材料,以留下位于该些虚拟线状之热扩散层之间之该第二有机高分子介电材料;于基底上形成一顶盖层;于该基底上形成一光阻层;以该光阻层为罩幕,进行一蚀刻制程,以在该顶盖层、该些虚拟线状之热扩散层与该衬层中形成复数个介层窗开口;去除该光阻层;以及于该些介层窗开口中填入金属层,以形成复数个介层窗。13.如申请专利范围第12项所述之金属内连线的制造方法,其中该热扩散层之材质的介电常数不大于4。14.如申请专利范围第13项所述之金属内连线的制造方法,其中该热扩散层之材质包括氮化铝。15.如申请专利范围第12项所述之金属内连线的制造方法,其中去除部分该第一有机高分子介电材料与去除该些虚拟线状之热扩散层上所覆盖的该第二有机高分子介电材料的方法包括反应性离子蚀刻法。16.如申请专利范围第12项所述之金属内连线的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第12项所述之金属内连线的制造方法,其中于该基底上形成该顶盖层之后,于该基底上形成该光阻层之前,更包括一化学机械平坦化制程。图式简单说明:第一图A至第一图F为依照本发明实施例一种金属内连线的制造流程剖面图。
地址 新竹科学工业园区园区三路一二一号