发明名称 减少轴向离子束聚焦之方法及系统
摘要 本发明提出一种方法,使得生产放射性追踪剂的粒子回旋加速器系统的磁极直径达到最小。该方法选择一操作模式,其Vz值低于Vz=1/2时的临界谐振值,且选择一谷底区技术,其中经由选择第一磁极参数,此参数定义可接受一窄间隔之RF电极系统的谷底区间隙,而得到一浅的谷底区,且尺寸可简化得到够低压力时所需要的真空磁导。该方法然后藉由设定一扇形间隙大小来定义第二磁极参数。此磁方位场形可经由增加磁场而从方波形转换成近似正弦波形。然后从增加的枢轴中计算平均磁场,及第一,第二磁极参数。然后可建立一磁极直径以对于粒子回旋加速器系统之电磁铁得到最精致的设计。本发明也包含依据该方法实施的粒子回旋加速器系统。
申请公布号 TW463534 申请公布日期 2001.11.11
申请号 TW088116604 申请日期 1999.09.28
申请人 GEMS派特系统公司 发明人 珍欧乐夫柏格史东;史提格林贝克
分类号 H05H11/00 主分类号 H05H11/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种将用于将生产放射性追踪剂的粒子回旋加速器系统之磁极尺寸最小化之方法,该方法包含下列步骤:选择一操作模式,其定义此模式的Vz値低于Vz=1/2的临界谐振値;然后选择一谷底区技术,其具有多个浅的谷底区,而非深谷底区,其方式为选择定义一谷底区间隙的第一磁极参数,接受一窄间隔射频电极系统,且简化得到够低之适于加速负氢离子的所需要的真空磁导;经由设定大小为15到30mm的扇形区间隙,而定义第二磁极参数,以简化一真空磁导,其可得到一适于负氢离子之加速器所需要的足够低之压力;增加磁场,以将一磁方位场从方波形转换成近似正弦波形;从增加一磁场及第一和第二磁极参数中计算一平均磁场;从平均磁场中,以磁极直径的型式计算第三磁极参数,以获得粒子回旋加速器系统中最小的电磁系统之设计。2.如申请专利范围第1项之方法,其中尚包含步骤为在磁铁扇形区材料中使其达到高度的磁饱合,而仍维持谷底区域低于饱合程度,因此增加磁化扇形区的磁场,此系因为饱合效应更进一步减少一Vz之数値之故。3.如申请专利范围第2项之方法,其中尚包含步骤为选择表示四个等大小之扇形区间隙的磁极及四个对应的谷底区扇形区,各谷底区约为对应磁铁扇形区的2/3。4.一种用于加速负氢离子以生产放射性追踪剂的粒子回旋加速器中使其磁极之直径达到最小化的系统,该系统包含:一电磁系统,此系统包含一对线圈及一磁轭,其包含一第一(1)及一第二(2)环形磁极,此表示磁极扇形区(4)及谷底区(6),至少两对立的谷底扇形区,其包含射频加速电极(8,9),及第一及第二磁极(1,2),及包含被定位在谷底区外壳中的射频电极(8,9)以形成一粒子回旋加速器加速系统,当一适当的射频电压作用到射频电极(8,9)时,可从一中心离子源中释出负离子,经由电磁系统作用的强磁场而偏移离子束及聚焦在第一及第二磁极之间;其中各磁极形成四个扇形区部位及四个谷底区部位,四个扇形区部位的距离约15到30mm之间,以产生具有低数目之安培圈数,且该四个谷底区存在一段距离,可允许离子束真空传导有一适当的空间,使得当加速离子束时,以得到所需要的真空,且该电磁场适于饱合该四个扇形区部位,而非谷底区,以将一方位磁场从方波形状转换成近似正弦波形状。5.如申请专利范围第4项之系统,其中选择操作模式,使得以一Vz値操作,此Vz値低于Vz=1/2时之临界谐振値。6.如申请专利范围第5项之系统,其中环形磁极的最大直径约为700mm,以得到一小的粒子回旋加速器系统,以用于生产医用之放射性追踪剂,尤其是正子放射断层扫瞄。图式简单说明:第一图示本发明之精致粒子回旋加速器中一对磁极的透视图。第二图示从上磁极所示之上视图的上磁极之扇形区,且示在两谷底区中加速射频电极的某些部位。第三图示在本发明装置中,沿一离子束追踪之一部位磁场的改变。
地址 瑞典