| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征是所包含之步骤有:在主面形成有多个凹部之板状之基座基板之上述凹部,分别收纳半导体晶片;在上述基座基板之上述主面之全面,接着板状之帽盖构件;和在上述之多个凹部之间分割上述之基座基板和上述之帽盖构件,用来形成分别包含有上述之半导体晶片之多个半导体装置。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在上述之板状基座基板具备有基极电极从上述之多个凹部之内部通到上述基座基板之外侧,上述之半导体晶片在上述之凹部内连接到上述之基极电极。3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在上述之基座基板,于上述之多个凹部之间形成贯穿上述之基座基板之孔部。4.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述之基座基板之形成是在具备有上述电极之平板状之第1基板之上,接合具有用以构成上述凹部之透孔之平板状之第2基板。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,在上述之基座基板,于上述之多个凹部之间形成贯穿上述之基座基板之孔部,和使上述第1基板部份之孔径形成小于上述之第2基板部份之孔径。6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述之基座基板被未形成有凹部之区域区分成为2个以上之连续形成有多个凹部之区域。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中,依照上述基座基板之上述2个以上之区域之大小,用来区分上述之帽盖构件,使其分别接着在上述基座基板之上述主面。8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,在上述之基座基板之上述主面,形成有用以使邻接之2个以上之上述孔部相通之沟部,和/或用以使邻接之上述孔部和凹部相通之沟部。9.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述之帽盖构件对上述之基座基板之主面之接着之进行是在上述之帽盖构件之接着面涂布点状之接着材料。10.如申请专利范围第1至9项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,上述之基座基板是使用低纯度氧化铝材料或有机系材料。11.如申请专利范围第1至9项中任一项之半导体装置之制造方法,其中,上述之帽盖构件是使用低纯度氧化铝材料或有机系材料。12.一种半导体装置,其系包含有:平板状之第一基板,其与表面平行之截面形状略呈四角形,且于背面具有基极电极;第二基板,其与上述第一基板之表面相接合,具有相对于上述第一基板而垂直形成的透孔,且与上述第一基板之表面平行之截面形状的向外延伸,系与上述第一基板之截面形状略呈相同形状;平板状之帽盖构件,用以覆盖形成于上述第二基板上之透孔,且与上述第二基板相接合;以及半导体晶片,收容于由上述第一基板之表面、形成于上述第二基板上之透孔的侧面、及上述帽盖构件所围成的空间内部,且与上述基极电极电连接,其特征为:在上述第一及第二基板之各个侧面上,自上述第二基板与帽盖构件之接合面至上述第一基板之背面,有切削成上述第一及第二基板之截面形状为四角形的棱角。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,第二基板之截面形状成为四角形之棱角,系切削得比第一基板之截面形状成为四角形之棱角还多。14.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,在第二基板与帽盖构件之接合面的第二基板侧,形成有从空间连通至第二基板之侧面的沟部。15.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,第一基板系采用低纯度氧化铝材料或有机系材料。16.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,第二基板系采用低纯度氧化铝材料或有机系材料。17.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中,帽盖构件系采用低纯度氧化铝材料或有机系材料。图式简单说明:第一图是斜视图,用来表示基座封装基板和帽盖构件之接合前之状态,藉以说明本发明之实施形态1。第二图用来说明本发明之实施形态1之构造和制造工程,(a)是密封前之剖面图,(b)是密封后之剖面图,(c)表示从(b)之画线处所分离之各个半导体装置。第三图用来说明本发明之实施形态1之基座封装基板之构造,(a)是斜视图,(b)是部份扩大之平面图。第四图是本发明之实施形态1之密封后之基座封装基板之部份扩大之剖面图。第五图是密封前之基座封装基板之部份扩大之上面图,用来说明本发明之实施形态2。第六图是密封后之状态之基座封装基板之部份扩大之剖面图,用来说明本发明之实施形态3。第七图是斜视图,用来表示密封前之帽盖构件之密封面附着有接着剂之状态,藉以说明本发明之实施形态4。 |
