| 发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC MEMORY DEVICE FOR PREVENTING OXIDATION OF POLYSILICON PLUG |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20010108778(A) |
申请公布日期 |
2001.12.08 |
| 申请号 |
KR20000029686 |
申请日期 |
2000.05.31 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
发明人 |
BYUN, DEUK SU;YANG, U SEOK |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/108;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/105 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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