| 主权项 |
1.一种基板处理装置,包含有:一涂布处理单元,系用以对基板涂布抗蚀剂者;一显影处理单元,系用以对业将涂布之抗蚀剂膜曝光后之该基板进行显影处理者;一冷却部,系用以将由外部供入之外气冷却至预定温度者;一热交换器,具有用以供已于该冷却部内冷却之空气流通之低温侧流路,以及供外气流通之高温侧流路,而可于该已冷却之空气与该外气间进行热交换者;一加温.加湿部,系用以将流通于该热交换器之低温侧流路而已藉流通于高温侧流路之空气加温之外气予以加温.加湿,以朝该显影处理单元供给预定温度及湿度之空气者;及一加温部,系用以将流通于该热交换器之高温侧流路而已藉流通于低温侧流路之空气冷却之外气加温,以朝该显影处理单元供给预定温度之空气者。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该热交换器系直交流型、加热管型及管壳型其中一种。3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中并分别独立配置有2种供给管路,其一系用以朝该涂布处理单元供给流通于该热交换器之低温侧流路并已藉该加温.加湿部而加温.加湿之空气者;另一则系用以朝该显影处理单元供给流通于该热交换器之高温侧流路并已藉该加温部而加温之空气者。4.一种基板处理装置,包含有:一第1处理单元,系用以处理基板者;一第2处理单元,系用以处理该基板者;一冷却部,系用以将由外部供入之外气冷却至预定温度者;一热交换器,具有用以供已于该冷却部内冷却之空气流通之低温侧流路,以及供外气流通之高温侧流路,而可于该已冷却之空气与该外气间进行热交换者;一加温.加湿部,系用以将流通于该热交换器之低温侧流路而已藉流通于高温侧流路之外气加温之空气予以加温.加湿,以朝该第1处理单元供给预定温度及湿度之空气者;及一加温部,系用以将流通于该热交换器之高温侧流路而已藉流通于低温侧流路之空气冷却之外气加温,以朝该第2处理单元供给预定温度之空气者。5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中该第1处理单元系用以对该基板涂布抗蚀剂之单元。6.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中该热交换器系直交流型、加热管型及管壳型其中一种。7.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中并分别独立配置有2种供给管路,其一系用以朝该第1处理单元供给流通于该热交换器之低温侧流路并已藉该加温.加湿部加温.加湿之该空气者;另一则系用以朝该第2处理单元供给流通于该热交换器之高温侧流路并已藉该加温部加温之该空气者。8.一种基板处理装置,包含有:一第1处理单元,系用以处理基板者;一第2处理单元,系用以处理该基板者;一冷却部,系用以将由该第1处理单元排出之空气冷却至预定温度者;一热交换器,具有用以供已于该冷却部内冷却之空气流通之低温侧流路,以及供由该第2处理单元排出之空气流通之高温侧流路,而可于该已冷却之空气与由该第2处理单元排出之空气间进行热交换者;一加温.加湿部,系用以将流通于该热交换器之低湿侧流路而已藉流通于高温侧流路之由该第2处理单元排出之空气加温之空气予以加温.加湿,以朝该第1处理单元供给预定温度及湿度之空气者;及一加温部,系用以将流通于该热交换器之高温侧流路而已藉流通于低温侧流路之空气冷却之由该第2处理单元排出之空气加温,以朝该第2处理单元供给预定温度之空气者。9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中该第1处理单元系用以对基板涂布抗蚀剂之单元。10.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中该第2处理单元系用以对业将涂布之该抗蚀剂膜曝光后之该基板进行显影处理之单元。11.如申请专利范围第9项之基板处理装置,其更具有一用以除去该第2处理单元所排出空气中之氨成分的过滤器。12.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中该热交换器系直交流型、加热管型及管壳型其中一种。13.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中并分别独立配置有2种供给管路,其一系用以朝该第1处理单元供给流通于该热交换器之低温侧流路并已藉该加温.加湿部加温.加湿之该空气者;另一则系用以朝该第2处理单元供给流通于该热交换器之高温侧流路并已藉该加温部加温之该空气者。14.一种基板处理装置,包含有:一处理单元,系用以对基板进行预定之处理者;一控制单元,系用以吸入外气,并将所吸入之外气控制在比已预先设定之该处理单元中之空气温度低的温度,同时将之控制在预定之温度者;及一加温单元,设置于该处理单元内或其近旁,系用以将已以该控制单元控制温度及湿度之空气加温至预定温度,以朝该处理单元内供给预定温度及预定湿度之空气者。15.如申请专利范围第14项之基板处理装置,其中该控制单元并包含有:一冷却器,系用以将吸入之外气冷却至露点温度以下者;一加温器,系用以将该业经冷却之空气加温至比供入该处理单元之空气温度低之温度者;及一加湿器,系用以将该业经加温之空气加湿至预定湿度者。16.如申请专利范围第15项之基板处理装置,其中该控制单元并具有一用以对已藉该冷却器冷却之空气混合外气之旁通管。17.一种基板处理装置,包含有:一处理单元,系用以对基板进行预定之处理者;一控制单元,系用以吸入外气,并将吸入之外气暂时冷却后,控制在预定之湿度者;一空气供给管路,系构成可使流通其中之空气与外气进行交换,而用以朝该处理单元供给已以该控制单元控制湿度之空气者;及一加温单元,系设置于该处理单元内或其近旁并与该空气供给管路相连接,而用以将已藉该控制单元控制湿度之空气加温至预定温度,俾朝该处理单元内供给者;另,该空气供给管路并系用以使与外气进行热交换后由该控制单元供入该加温单元之空气温度上昇者。18.一种基板处理装置,包含有:一处理单元,系用以对基板进行预定之处理者;一控制单元,系用以吸入外气,并将吸入之外气暂时冷却后,将之控制在预定之湿度者;一外气导入管路,系用以朝该控制单元内导入外气者;一空气供给管路,系用以朝该处理单元供给已以该控制单元控制之空气者;及一加温单元,系设置于该处理单元内或其近旁并与该空气供给管路相连接,而用以将已藉该控制单元控制湿度之空气加温至预定温度,俾朝该处理单元内供给者;另,该外气导入管路与该空气供给管路并系配置成至少有一部分可彼此进行热交换者。19.如申请专利范围第18项之基板处理装置,其中该外气导入管路与该空气供给管路系配置成至少有一部分相接触者。20.如申请专利范围第17项之基板处理装置,其中该控制单元并包含有:一冷却器,系用以将由该外气导入管路所导入之外气冷却至露点温度以下者;一旁通管,系用以对该业经冷却之空气混合外气者;及一加湿器,系用以将该业经混合之空气加湿至预定湿度者。图式简单说明:第一图为显示应用本发明之半导体晶圆涂布显影处理系统整体构造之平面图。第二图为显示应用本发明之半导体晶圆涂布显影处理系统整体构造之正面图。第三图为显示应用本发明之半导体晶圆涂布显影处理系统整体构造之背面图。第四图为显示第1实施例中之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)与用以供入该等单元之空气的温度.湿度控制装置之位置关系的模式图。第五图为显示朝第1实施例之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)供给之空气之温度.湿度控制装置的构造图。第六图为显示朝第2实施例之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)供给之空气之温度.湿度控制装置所使用的热交换器之基他实施例的立体图。第七图为显示朝第3实施例之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)供给之空气之温度.湿度控制装置之其他实施例的构造图。第八图为显示朝第4实施例中之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)与用以供入该等单元之空气之温度.湿度控制装置之位置关系的模式图。第九图为显示朝第4实施例之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)供给之空气之温度.湿度控制装置的构造图。第十图为显示朝第5实施例之涂布处理单元(COT)及显影处理单元(DEV)供给之空气之温度.湿度控制装置的构造图。第十一图为显示应用本发明之半导体晶圆涂布显影处理系统之抗蚀剂涂布处理单元(COT)的概略截面图。第十二图为显示应用本发明之半导体晶圆涂布显影处理系统之抗蚀剂涂布处理单元(COT)的概略平面图。第十三图为显示第6实施例中所使用之温度.湿度控制机构之截面图。第十四图为显示第7实施例中所使用之温度.湿度控制机构之截面图。第十五图为显示第8实施例中所使用之温度.湿度控制机构之截面图。 |
