主权项 |
1.一种金属线结构,建构于一基底上,该基底至少包括一介电层覆盖其上,用以作为一绝缘层之用,该金属线结构包括:一阻障层,位在该介电层部份表面上;一金属层,位在该阻障层上;一抗反射层,位在该金属层上;以及一间隙壁,覆盖该金属层、该抗反射层与该阻障层之侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之金属线结构,其中该介电层之材质包括二氧化矽与硼磷矽玻璃二者择其一。3.如申请专利范围第1项所述之金属线结构,其中该阻障层之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。4.如申请专利范围第1项所述之金属线结构,其中该金属层之材质包括铝。5.如申请专利范围第1项所述之金属线结构,其中该抗反射层之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。6.如申请专利范围第1项所述之金属线结构,其中该间隙壁结构之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。7.一种金属线结构的制造方法,包括:提供一基底,该基底上设有一介电层;形成一阻障层,位在该介电层上;形成一金属层,在该阻障层上;形成一抗反射层,在该金属层上;定义该阻障层、该金属层及该抗反射层以形成一金属线;以及形成一间隙壁,位在该金属线周围。8.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该介电层的形成方式可为化学气相沉积法。9.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该金属层、该阻障层、该抗反射层与该毯覆层的形成方法包括溅镀法。10.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中定义该阻障层、该金属层及该抗反射层之步骤包括由一微影蚀刻步骤来达成。11.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该阻障层之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。12.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该抗反射层之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。13.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化钛、钛、氮化钨、以及钛钨合金中择其一。14.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中该金属层之材质包括铝。15.如申请专利范围第7项所述之金属线结构的制造方法,其中形成该间隙壁之方式包括利用非等向蚀刻来达成。图式简单说明:第一图A至第一图D,其所绘示的为习知一种金属线结构的剖面示意流程图;以及第二图A至第二图F,其所绘式的为根据本发明之第一较佳实施例,一种金属线侧壁毯覆层结构之制造剖面流程示意图。 |