发明名称 加工装置及其制造方法
摘要 一种晶圆加工装置(14)具有一个晶圆加工容器(16)。一个晶圆被安置在被包括在该晶圆加工装置内的一个基座(22)上。诸加工气体经由被配置于该加工容器内之上方区域的一个洒水头(74)被供给至该晶圆,俾以进行一用来加工该晶圆的预定步骤。被用于该晶圆加工装置内的诸铝构件(16,74)的表面要按顺序经过一有机机械化学抛光步骤、一喷光步骤以及一道铝氧化物薄膜形成步骤。对不必要的薄膜是难以黏附在该等经处理过的表面上,且对被沉积在该等如此被处理过的表面之薄膜,则难以脱离该等表面。因此,可以延长清洁作业之间的间隔且可以抑制该等微粒的生成。
申请公布号 TW475209 申请公布日期 2002.02.01
申请号 TW089107097 申请日期 2000.04.15
申请人 日立制作所股份有限公司;东京威力科创股份有限公司 发明人 山盛生;中塚荣;飨场康
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 2.根据申请专利范围第1项的加工装置,其中该等铝构件被收纳于在该加工容器及该洒水头中之至少一者中。3.根据申请专利范围第1项的加工装置,其中该等铝构件是该等形成于该加工容器及该洒水头之至少一者的一表面。4.根据申请专利范围第1项的加工装置,其中要在该加工容器中执行的步骤是一薄膜形成步骤。5.一种制造加工装置的方法,其包含:一个能被抽真空的加工容器;一个被配置于该加工容器内以在其上支撑工件的基座;一个被配置于加工室内的上方区域内的洒水头,以供应制程气体至该被支撑于基座上之工件,俾以加工供一预定步骤用之该工件;以及暴露于该加工容器内部的诸铝构件;该方法包含下列步骤:使该等铝构件之至少一表面经过一有机机械化学的抛光步骤;其次使该表面经过一喷光步骤;而后,使该表面经过一阳极的铝氧化物薄膜形成步骤;以及将为该等步骤所加工之该等铝构件施用于该加工容器中。6.根据申请专利范围第5项的方法,其中该有机机械化学的抛光步骤是一使用一流体之机械的抛光步骤,该流体系藉由混合一有机溶剂以及研磨粒所制得的。7.根据申请专利范围第5项的方法,其中该阳极的铝氧化物薄膜形成步骤是利用一种使用电解溶液来阳极氧化铝之步骤。8.根据申请专利范围第5项的方法,其中该喷光步骤之后系为一种利用溶剂来蚀刻该等铝构件之表面的蚀刻步骤。图式简单说明:第1图是本发明较佳实施例中的加工装置之一幅截面示意图;第2图系显示被包括在第1图中的加工装置之洒水头的一幅底视图;第3A、3B、3C及3D图系协助说明用来加工铝构件表面的表面处理步骤的代表图;第4A及4B图是诸铝构件表面的代表图;第5A及5B图是传统洒水头及本发明所使用的洒水头之照片,分别地显示沉积在诸洒水头的多余之薄膜;第6A及6B图是传统洒水头及本发明所使用的洒水头之照片,分别地显示沉积在诸洒水头的多余之薄膜;第7A、7B、7C及7D图是本发明的加工装置之元件及传统加工装置诸元件的表面;以及第8图是传统的加工装置之一幅示意图。
地址 日本