| 摘要 |
<p>본 발명은 페일이 발생된 회로의 리던던시 셀로 리페어하고 테스트할 때 BIST(Bulit-in self test)를 이용한 알고리즘으로 리페어 및 테스트를 구현하여 셀프 테스트 및 자동으로 리페어함으로써 메모리장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 메모리장치의 리던던시 셀 리페어 회로에 관한 것으로서, 어드레스를 입력받는 어드레스 입력부(10)와, 어드레스 입력부(10)의 출력신호 래치하고 디코딩하여 노말 워드라인(30)을 억세스하도록 하는 어드레스 디코더(20)와, 페일 어드레스를 입력받아 래치하는 페일 어드레스 래치부(40)와, 페일 어드레스 래치부(40)의 출력값과 디코딩된 어드레스를 서로 비교하여 페일 어드레스와 디코딩된 어드레스가 일치할 경우 노말 워드라인(30)을 디스에이블시키고 리던던시 워드라인(60)을 인에이블시키는 어드레스 비교부(50)로 이루어져 새로 입력되는 디코딩 어드레스와 페일 어드레스 래치부에 저장된 데이터와 비교하여 동일할 경우 노말 워드라인(30)을 디스에이블 시킴과 아울러 리던던시 워드라인(60)을 인에이블시켜 리페어를 수행하여 메모리장치의 신뢰성 및 수행능력을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.</p> |
