| 主权项 |
1.一种形成于半导体晶片内的功率金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),该金属氧化物半导体场效电晶体包含:至少一个金属氧化物半导体场效电晶体晶胞,该晶胞系以具有长度和宽度的纵向镶条的形状成形,该镶条系定位于相反闸极区段间,并具有顶面与该晶片的表面一致,各该闸极区段系在槽沟内形成,该金属氧化物半导体场效电晶体晶胞包含:一第一导电式源体区,定位于邻近该顶面的一部份;一第二导电式本体区,定位于该源体区下方,该本体区包含一通道区邻近该槽沟之壁面;一第一导电式汲体区邻近该本体区;以及一在该本体区内部之重度搀杂区,该重度搀杂区系属第二导电式,且具有搀杂剂浓度大于该本体区剩余部份之搀杂剂浓度,该重度搀杂区沿该晶胞之长度伸展,且包括至少一个接触部份,其伸展至该晶胞之顶部表面。2.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,其中该重度搀杂区具有搀杂剂浓度由51018至81019/立方厘米。3.如申请专利范围第2项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,其中该本体区具有搀杂剂浓度由81015至71017/立方厘米。4.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,其中该晶胞具有一长度其至少系该晶胞宽度之十倍。5.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,包含复数的镶条式晶胞之列,该列的数目系少于十。6.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,其中该接触部份系位于该晶胞之一端。7.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,包含复数的接触部份,其位于沿该晶胞长度间隔设置。8.如申请专利范围第1项之功率金属氧化物半导体场效电晶体,其中该接触部份包含一沿该晶胞长度伸展的带,该带系位于该闸极区段间的大致等距处。图式简单说明:第1A、1B和1C图分别显示方形、六角形以及镶条形几何结构之金属氧化物半导体场效电晶体晶胞之俯视图。第2图系一线图,显示在功率金属氧化物半导体场效电晶体中面积/周长比A/W系晶胞密度的函数。第3图系单一镶条形金属氧化物半导体场效电晶体晶胞以及深度扩散藉以保护闸极氧化层之横剖面图。第4图系第3图的金属氧化物半导体场效电晶体之透视图。第5图系另一种具体例之透视图,其中在半导体表面的薄中心带改进本体区与上面覆盖金属接触层间的接触。第6图系一具体例的俯视图,其中二极体晶胞系未间断的。第7图系一具体例的俯视图,其中二极体晶胞系由金属氧化物半导体场效电晶体晶胞周期性的间断。第8图系根据本发明的金属氧化物半导体场效电晶体之横剖面照片。第9A-9E图系说明制造根据本发明的金属氧化物半导体场效电晶体之程序。第10A图系一具体例之俯视图,其中本体接触区系调整至在镶条形晶胞一端的表面。第10B图系一具体例的俯视图,其中本体接触区系沿镶条形晶胞长度以定期间隔调整至表面。第10C图系一具体例的俯视图,其中本体接触区沿镶条形晶胞之中心包括一薄带。第11图系第5和10C图所示金属氧化物半导体场效电晶体之详图。第12图系一线图,显示特定导电电阻系呈具有不同晶胞密度之金属氧化物半导体场效电晶体的面积/周长比的函数。第13图系一线图,显示第12图所示在半对数纸张所绘制之资料。第14图系一线图,显示特定导电电阻系呈若干不同金属氧化物半导体场效电晶体晶胞密度之函数。第15图系一线图,显示特定导电电阻系呈若干不同金属氧化物半导体场效电晶体面积/周长比之函数。第16图系一线图,显示该特定导电电阻系呈若干金属氧化物半导体场效电晶体,其具有每平方寸178百万个晶胞的晶胞密度的闸极电压之函数。第17图显示功率金属氧化物半导体场效电晶体晶片之俯视图,该晶片包含镶条形金属氧化物半导体场效电晶体晶胞安排成三列。 |
