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<p>다결정 실리콘막의 형성방법에 있어서, 막형성 속도가 0.9 r내지 1.1 r인 막형성 조건 하에서, 산화막과 상기 다결정 실리콘막 사이의 계면 러프니스가 1 nm 미만이 되도록 다결정 실리콘막을 형성한다. 이때, 산화막이 형성된 다수의 기판 각각에 다결정 실리콘막을 형성하는 평균 속도를 r(nm/min)라 한다. 결과적으로, 게이트 산화막과 다결정 실리콘막 사이의 계면 러프니스를 감소시킬 수 있으며, 게이트 산화막의 장기 신뢰성을 개선할 수 있다.</p> |
