| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,包括:一覆盖层具有第一导电型,一活性层,及一半导体层包括至少一覆盖层且具有第二导电型与第一导电型相反,该数层系按顺序重叠在一基板上面;其中一脊在该半导体层上面部份的一部份上面形成;该具有第一导电型之覆盖层,该活性层,及该具有第二导电型之半导体层均由氮化物基III-V类化合物半导体制成;以及该脊的宽度范围为1.9至2.6m。2.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该脊的一侧面上的半导体层部份的厚度范围为0.03至0.25m3.如申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中用来阻挡从该半导体层流到该活性层方向的流动电流的一截流层至少在该脊的一侧面上的该半导体层部份上面形成。4.如申请专利范围第2项之半导体发光装置,其中用来阻挡从该半导体层流到该活性层方向的流动电流的一截流层至少在该脊的一侧面上的该半导体层部份上面形成。图式简单说明:图1为一断面图显示本发明的一具体实施例的一半导体发光装置的构造;图2为一曲线图显示一半导体层,脊两边,部份厚度的容许范围及脊宽度的容许范围;图3为一曲线图显示半导体发光装置电流消耗与脊宽的关系;图4为一曲线图显示半导体发光装置功率消耗与脊宽的关系;图5为一曲线图显示半导体发光装置低限电流与脊宽的关系;及图6为一曲线图显示半导体发光装置水平角与脊宽的关系。 |
