| 主权项 |
1.一种发光元件,其特征在于,系具有双异质构造之发光层部,该双异质构造系由均为(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中,0≦x,y≧1且x+y=l)混晶所构成之第一导电型包层、活性层及第二导电型包层所积层而成,且在该发光层部之至少一侧,系形成有对550nm-650nm波长带的光其折射率为3.2以下之化合物半导体所构成的光取出层。2.如申请专利范围第1项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体,系具有比来自发光层部之发光波长所对应之光子能量为大之带隙能量。3.如申请专利范围第2项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体之带隙能量为2.2eV以上。4.如申请专利范围第1-3项中任一项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体为ZnSe。5.如申请专利范围第1-3项中任一项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体为ZnS。6.如申请专利范围第1-3项中任一项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体为ZnTe。7.如申请专利范围第1-3项中任一项之发光元件,其中构成前述光取出层之化合物半导体为CdS。8.如申请专利范围第1-3项中任一项之发光元件,其中前述光取出层系由不同种化合物半导体之复数层所积层而成者,构成光取出层之各层,系配置成越靠光取出层表面侧其折射率越小。9.如申请专利范围第8项之发光元件,其中前述光取出层之至少最外层部分,系由ZnSe、ZnS、ZnTe及CdS中之任一者所构成,并在该最外层部分之表面直接形成电极。10.一种发光元件之制造方法,其特征在于,系将均为(AlxGa1-x)yIn1-yP(其中,0≦x,y≧1且X+y=1)混晶所构成之第一导电型包层、活性层及第二导电型包层所积层而成之双异质构造的主表面,和ZnSe、ZnS、znTe及CdS中之任一者所构成的单结晶基板之主表面互相接合。图式简单说明:图1系显示本发明的发光元件一例的积层构造之示意图。图2系显示在电极和光取出层间插入接触层的变形例之示意图。图3A系显示图1的发光元件制程之示意图。图3B系显示接续于图3A之图1的发光元件制程之示意图。图3C系显示接续于图3B之图1的发光元件制程之示意图。图4A系接续于图3C之示意图。图4B系接续于图4A之示意图。图5系显示仅在发光层部的第一主表面形成光取出层之元件构造例的示意图。图6系显示,在图5中,于光取出层之第二主表面侧插入反射层之元件构造例的示意图。图7A系显示形成复数个光取出层之第1例的示意图。图7B系显示形成复数个光取出层之第2例的示意图。图8A系说明来自发光层的光入射角度和临界角度c的关系,及其对放出光强度大小的影响。图8B系接续于图8A之说明图。 |
