| 主权项 |
1.一种可循环利用处理组件,至少包含:一可循环利用处理组件,其系由一材料作成并具有:一第一表面,其具有第一高度;及一可见标示形成于第一表面中,该标示延伸至一第二高度,其中于第一高度及第二高度间之距离系被作成,使得标示为可见的,直到一数量之材料系由该部件去除,并使部件接近超出公差范围为止。2.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之第二高度系低于第一高度,使得该标示系于部件之第一表面下。3.如申请专利范围第2项所述之可循环利用处理组件,其中上述之标示系为一雷射划线标示。4.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之第二高度系高于第一高度,使得标示系于部件之第一表面上方。5.如申请专利范围第4项所述之可循环利用处理组件,其中上述之标示系为一铸模标示。6.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之标示为"OK"。7.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之处理组件系适用以被使用于一室中,该室系被架构以执行一物理气相沉积处理。8.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之处理组件系适用以被使用于一室中,该室系被架构以执行一化学气相沉积处理。9.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之处理组件系为一边缘环,其系适用以防止材料沉积于一加热器之侧壁上。10.如申请专利范围第1项所述之可循环利用处理组件,其中上述之处理组件系为一边缘环,其系适用以防止材料沉积于一基材之边缘上。11.一种处理一基材的设备,至少包含:一处理室,适用以沉积一材料于处理于其中之基材上;及一如申请专利范围第1项所述之设备,其系可移除地连接至处理室内。12.如申请专利范围第11项所述之设备,其中上述之处理室系适用以执行一物理气相沉积处理。13.如申请专利范围第12项所述之设备,其中上述之处理室系适用以执行一化学气相沉积处理。14.一种使用可循环利用处理组件的方法,至少包含步骤:提供一处理室,其具有一由一材料作成之可循环利用之处理组件,并具有:一第一表面,其具有第一高度;及一可见标示形成于第一表面上,该标示延伸至第二高度,其中第一高度及第二高度间之距离系被作成,使得标示为可见的,直到一数量之材料系由该部件去除,并使部件接近超出公差范围为止;于处理室内执行一处理,使得该材料系沉积于该可循环利用处理组件上;自该可循环利用处理组件上,清除所沉积之材料;及基于该标示之可见度,而决定是否该可循环利用处理组件在公差范围内。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之基于该标示之可见度,而决定是否该可循环利用处理组件在公差范围内之步骤包含:若该标示系为清楚可见,则决定该可循环利用处理组件系在公差范围内。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之基于该标示之可见度,而决定是否该可循环利用处理组件在公差范围内之步骤包含:若该标示未为清楚可见,则量测该可循环利用处理组件。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之由可循环利用处理组件清除沉积材料之步骤包含蚀刻该可循环利用处理组件。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中上述之蚀刻该可循环利用处理组件之步骤包含将该可循环利用组件浸入于一槽中。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之由可循环利用处理组件清除沉积材料之步骤包含对该可循环利用处理组件进行喷珠处理。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之于处理室内执行一处理包含执行一物理气相沉积处理。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之于处理室内执行一处理包含执行一化学气相沉积处理。22.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之于处理室内执行一处理包含执行一蚀刻处理。图式简单说明:第1A及1B图分别为依据本发明第一方式架构之可循环利用之处理组件之可见标示部份之俯视及侧视图;第2A及2B图分别为依据本发明第二方式架构之可循环利用之处理组件之可见标示部份之俯视及侧视图;第3图为一种流程图,用以描述本发明决定部件公差范围之方法;第4A及4B图为用于物理气相沉积之处理室的剖面图;第5图为用于化学气相沉积之处理室的剖面图;及第6图为可用于第4A-5B图之室中之额外处理室组件环之侧视图。 |
