发明名称 半导体装置
摘要 一半导体装置,包含:一线路板;一第一半导体晶片,其具有互相垂直面对的一电路侧与一非电路侧,并经由一突起电极与线路板电性连接,且第一晶片之电路侧面对线路板之主要表面;及一第二半导体晶片,其具有互相垂直面对的一电路侧与一非电路侧,并在其电路侧上包含一外部电极,第二半导体晶片之外部电极系经由一金属细线与线路板电性连接。并配置外部与突起电极,使其自线路板之主要表面上方垂直地向下看时不会互相重叠。
申请公布号 TW504830 申请公布日期 2002.10.01
申请号 TW090122108 申请日期 2001.09.06
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 藤本 博昭;国友 美信;油井 隆
分类号 H01L25/065 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种半导体装置,包含:一线路板;一第一半导体晶片,其具有互相垂直面对的一电路侧与一非电路侧,并经由一突起电极与该线路板电性连接,该第一晶片的电路侧面对该线路板之主要表面;及一第二半导体晶片,其具有互相垂直面对的一电路侧与一非电路侧,且其在该电路侧包含一外部电极,其中该第一与第二半导体晶片的非电路侧互相固定,且其中该第二半导体晶片之外部电极经由一金属细线与该线路板连接,且其中配置该外部与突起电极使其自该线路板之主要表面上垂直向下看时不会互相重叠。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一导电胶互相固定。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一低熔点金属互相固定。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该突起电极与形成于该线路板上之内连接电极直接接触。5.一种半导体装置,包含:一线路板;一第一半导体晶片,其具有互相垂直地面对的一电路侧与一非电路侧,并经由一突起电极与该线路板电性连接,该第一晶片之电路侧面对该线路板之主要表面;及至少一第二及第三半导体晶片,每个均具有互相垂直地面对的一电路侧与一非电路侧,且每个晶片之电路侧包含一外部电极,其中该第二与第三半导体晶片之非电路侧固定于第一半导体晶片之非电路侧,且其中该第二与第三半导体晶片之外部电极经由金属细线与该线路板连接。6.如申请专利范围第5项之装置,其中配置该外部与突起电极使其自该线路板之主要表面上垂直向下看时不会互相重叠。7.如申请专利范围第5项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一导电胶互相固定。8.如申请专利范围第5项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一低熔点金属互相固定。9.如申请专利范围第5项之装置,其中该突起电极与形成于该线路板上之内连接电极直接接触。10.一种半导体装置,包含:一线路板;至少第一与第二半导体晶片,每个均具有互相垂直地面对的一电路侧与一非电路侧,且均经由一突起电极与线路板电性连接,该第一与第二晶片之电路侧面对该线路板之主要表面;且一第三半导体晶片,其具有互相垂直地面对的一电路侧与一非电路侧,且在其电路侧上包含一外部电极,其中该第三半导体晶片之非电路侧固定于该第一半导体晶片之非电路侧与/或该第二半导体晶片之非电路侧,及其中该第三半导体晶片之外部电极经由一金属细线与该线路板连接。11.如申请专利范围第10项之装置,其中配置该外部与突起电极使其自该线路板之主要表面上垂直地向下看时不会互相重叠。12.如申请专利范围第10项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一导电胶互相固定。13.如申请专利范围第10项之装置,其中该突起电极与该线路板利用一低熔点金属互相固定。14.如申请专利范围第10项之装置,其中该突起电极与形成于该线路板上之内连接电极直接接触。图式简单说明:图1A与1B显示根据本发明之第一具体实施例之一半导体装置:图1A为本装置之截面图,图1B为其部分平面图。图2A至2D为第一具体实施例之半导体装置,其具有不同形状或尺寸之第二LSI晶片之示范位置的平面示意图。图3为部分截面图,其系垂直地由第一具体实施例之半导体装置中之LSI晶片镶嵌的主要表面所取的截面图,显示在打线接合制程时施加的负荷之方向与大小。图4为根据本发明之第二具体实施例之半导体装置之截面图。图5为根据本发明之第三具体实施例之半导体装置之截面图。图6为一已知的半导体装置之截面图。
地址 日本