MOCVD成长之增强模式HIGFET缓冲器

摘要

一种包含藉由金属化学气相沈积技术，以磊晶方式产生在磊晶缓冲器(11)之Emode HIGFET半导体装置(50)之制作方法。此缓冲器(11)包含一位于砷化镓基材(12)上之短生命周期砷化镓层(14)，以及一位于短生命周期砷化镓层(14)上之砷化铝镓层(15)。此短生命周期砷化镓(14)生成在低于约550℃之温度环境下，以使其具有少于约500微微秒之生命周期。之后在基材的砷化铝镓层(15)之上以磊晶方式产生一复合半导体叠层(10)，最后在叠层之中产生一 Emode场效电晶体(50)。

主权项

1.一种制造一增强模式半导体装置之方法,包含下列步骤:提供一复合半导体基材;以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术在该基材上生成一包含短生命周期复合半导体材质之磊晶缓冲器;以磊晶技术在该缓冲器上生成一复合半导体叠层;以及于该叠层中产生一增强模式半导体装置。2.如申请专利范围第1项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该磊晶缓冲器之步骤包含在该基材上生成一短生命周期砷化镓层。3.如申请专利范围第2项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该生成该短生命周期砷化镓层之步骤包含生成具小于500微微秒生命周期之砷化镓。4.如申请专利范围第2项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该短生命周期砷化镓层之步骤包含于低于约550℃之温度环境下生成该砷化镓层。5.如申请专利范围第2项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该磊晶缓冲器之步骤包含于该短生命周期砷化镓层上生成一宽带隙材质层。6.一种制造一增强模式半导体装置之方法,包含下列步骤:提供一砷化镓基材;以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术在该基材上生成一包含短生命周期砷化镓层之磊晶缓冲器,及一生成在该短生命周期砷化镓层上之宽带隙材质层;以磊晶技术在该缓冲器之该宽带隙材质层上生成一复合半导体叠层;以及于该叠层中产生一增强模式半导体装置。7.如申请专利范围第6项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该短生命周期砷化镓层之步骤包含于低于约550℃之温度环境下生成该砷化镓层。8.如申请专利范围第6项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该短生命周期砷化镓层之步骤包含生成该具小于500微微秒生命周期之砷化镓层。9.如申请专利范围第6项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该以有机金属化学气相沈积法采磊晶技术生成该短生命周期砷化镓层之步骤包含生成一具厚度约为1000之短生命周期砷化镓层。10.如申请专利范围第6项之制造一增强模式半导体装置之方法,其中该于短生命周期砷化镓层上生成一宽带隙材质层之步骤包含于该短生命周期砷化镓层上生成一砷化铝镓层。图式简单说明:图1为依据本发明原理,采用MOCVD制程制作,在缓冲器上以磊晶生长方式,由复合半导体材质层所构成的主动式(active)Emode装置之部份横切面图;图2为磊晶成长率与MOCVD制程温度的关系图;及图3为依据本发明原理,生成在图1的叠层上之异质接面(heterojunction)场效电晶体。