| 主权项 |
1.一种用于制造实质上无弓起之半导体装置的小片,其包含含有环氧树脂及硬化剂之环氧树脂组合物,其中该小片具有下列特征(A):(A):因加热所降低之量系低于0.05重量%;且该小片系以未硬化态之环氧树脂组合物的融熔产物冷却及固化而获得。2.如申请专利范围第1项之小片,其中另外具有至少一个选自包含下列之特征:(B):该片的压缩比为98%或更高;及(C):该片之硬化产物的玻璃转移温度为120℃或更高。3.一种具有树脂层之晶圆,其含有多个突出电极及一在该晶圆装有突出电极之侧面上所形成的硬化树脂层,其中该硬化树脂层系由申请专利范围第1或2项之小片所形成的。4.一种半导体装置,其系藉由一包括将具有申请专利范围第3项之树脂层的晶圆切成既定尺寸之方法获得,该半导体装置包含多个突出电极及一在该晶圆装有突出电极之侧面上所形成的硬化树脂层。5.一种半导体装置,其包含一绝缘基材、一置于该绝缘基材一侧面上之半导体元件及一环氧树脂组合物之硬化产物,该半导体元件系被硬化产物并入密封,其中该环氧树脂组合物的硬化产物系由申请专利范围第1或2项之小片所形成的。6.一种半导体装置,其包含一绝缘基材、一经由多个连接电极装在该绝缘基材一侧面上之半导体元件及一密封该绝缘基材与该半导体元件间之空隙的硬化树脂层,其中该硬化树脂层系由申请专利范围第1或2项之小片所形成的。7.一种用于制造具有树脂层之晶圆的方法,其中该晶圆包含多个突出电极及形成于该晶圆装有突出电极之侧面上之硬化树脂层,其包括将申请专利范围第1或2项之小片置于该晶圆装有突出电极之侧面上,并加热该待融熔硬化之小片,藉而形成硬化树脂层之步骤。8.一种用于制造半导体装置之方法,其中该半导体装置包含一绝缘基材、一置于该绝缘基材一侧面上之半导体元件及一环氧树脂组合物之硬化产物,该半导体元件系被硬化产物并入密封,其包括将申请专利范围第1或2项之小片置于半导体元件上,并加热该待融熔硬化之小片,藉而形成硬化产物之步骤。9.一种用于制造半导体装置之方法,其中该半导体装置包含一绝缘基材、一经由多个连接电极装在该绝缘基材一侧面上之半导体元件及一密封该绝缘基材与该半导体元件间之空隙的硬化树脂层,其包括加热熔化申请专利范围第1或2项之小片并填满空隙和硬化该小片,藉而形成硬化树脂层等步骤。10.一种防止晶圆产生弓起的方法,其包括将申请专利范围第1或2项之小片置于该晶圆装有突出电极之侧面上,并加热该待融熔硬化之小片,藉而形成硬化树脂层之步骤。11.一种防止半导体装置产生弓起的方法,其包括将申请专利范围第1或2项之小片置于安装在绝缘基材侧之半导体元件上,并加热该待融熔硬化之小片,藉而形成硬化产物之步骤。图式简单说明:图1显示一个用于制造含有环氧树脂组合物之小片之制造设备实例的说明图;图2显示一个具有树脂层之晶圆实例的截面图;图3显示另一个具有树脂层之晶圆实例的截面图;图4为一个半导体装置实例之透视图;图5显示半导体装置被安置印刷电路基材上之状态的截面图;图6显示一个单边密封型半导体装置实例之截面图;图7显示一个具有面朝下结构之半导体装置实例的截面图;图8显示一种制造具有面朝下结构之半导体装置的方法截面图;图9显示另一个具有面朝下结构之半导体装置实例的截面图;图10显示另一个具有面朝下结构之半导体装置实例的截面图;图11显示测得含有树脂层之晶圆弓起状态的截面图;图12显示测得含有树脂层之晶圆弓起状态的截面图;图13显示测得含有树脂层之晶圆弓起状态的截面图。 |
