| 主权项 |
1.一种发光半导体组件之制造方法,此半导体组件包含:一种安装在载体(2)上之电性可接触之半导体本体(1);及一种发光转换元件,其具有至少一种发光物质(5)且施加在该半导体本体(1)上,本方法之特征为以下各步骤:-制成半导体本体(1),其安装在载体(2)上且形成一种电性接触区,-以层之形式施加一种悬浮液(4)至此半导体本体(1)之至少一个表面上,其含有丁基醋酸盐作为溶剂且此种悬浮液(4)中加入至少一种黏合剂及至少一种发光物质(5),-使此半导体组件乾燥,此时发光物质(5)保留在半导体本体(1)上。2.一种发光半导体组件之制造方法,此半导体组件包含:一种安装在载体(2)上之电性可接触之半导体本体(1);及一种发光转换元件,其具有至少一种发光物质(5)且施加在该半导体本体(1)上,本方法之特征为以下各步骤:-制成半导体本体(1),其安装在载体(2)上且形成一种电性接触区,-施加一种黏合剂层(6)至半导体本体之至少一个表面上,-施加至少一种发光物质(5)至半导体本体之至少一个表面上。3.如申请专利范围第2项之制造方法,其中使用环氧树脂,丙烯酸树脂,或矽树脂作为黏合剂(6)。4.如申请专利范围第2或3项之制造方法,其中撒入,顶吹或溅散至少一种发光物质(5)。5.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中使用无机磷,Ce-或Tb-驱动之石榴石,硷土硫化物或有机颜料作为发光物质(5)。6.如申请专利范围第4项之制造方法,其中使用无机磷,Ce-或Tb-驱动之石榴石,硷土硫化物或有机颜料作为发光物质(5)。7.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中该发光物质(5)含有YAg:Ce,TbYAG:Ce,GdYAG:Ce,GdTbYAG:Ce或以此为主之混合物,其中A1至少一部份可由Ga或In所取代。8.如申请专利范围第5项之制造方法,其中该发光物质(5)含有YAg:Ce,TbYAG:Ce,GdYAG:Ce,GdTbYAG:Ce或以此为主之混合物,其中A1至少一部份可由Ga或In所取代。9.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中至少一种发光物质(5)之平均晶粒大小是10m。10.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中此组件浇注在环氧树脂或丙烯酸树脂中。11.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中由半导体本体(1)在操作时所发出之光束之中心波长小于460nm。12.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中由半导体本体(1)在操作时所发出之光束之彩色及由至少一种发光物质所发出之光之彩色是互补的,因此形成白色光。13.如申请专利范围第11项之制造方法,其中由半导体本体(1)在操作时所发出之光束之彩色及由至少一种发光物质所发出之光之彩色是互补的,因此形成白色光。14.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中以本方法所制成之许多组件应用在LED照明单元中。15.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中以本方法所制成之许多组件应用在LED照明单元中,其中这些组件以矩阵方式配置着。16.如申请专利范围第1或2项之制造方法,其中以本方法所制成之组件在成像用之透镜中用作光源。图式简单说明:第1a,1b,1c及1d图 本发明之方法之第一实施形式共4个步骤之图解。第2a,2b,2c及2d图 本发明之方法之第二实施形式共4个步骤之图解。第3图 本发明之方法所制成之组件之辐射特性。第4图 先前技术之组件之辐射特性。 |
