发明名称 气冷式散热装置之高性能散热片结构
摘要 一种增强的散热装置,以及用以将热从一积体电路装置吸抽出来的方法,其包括有具有上方与下方外部表面区域的一个热传导中心。该系统更包括有一个第一传导环,其具有第一系列之径向延伸的散热片。该第一传导环系以热力的方式被接合到该上方外部表面区域。该热传导中心包括有该第一系列以及该下方外部表面区域,其具有足够的尺寸,用以当该热散热装置被安装在该积体电路装置时,容许在一主机板上的元件占用在该积体电路装置上。
申请公布号 TW519742 申请公布日期 2003.02.01
申请号 TW090127993 申请日期 2001.11.12
申请人 英特尔公司 发明人 谢瑞 李;骆伊得 L 波拉特
分类号 H01L23/36 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种增强的散热装置,其包含有:一个热传导中心,其中该热传导中心具有上方以及下方外部表面区域,以及一个第一传导环,其具有一第一系列的径向延伸散热片,该系列的散热片系以热力的方式被接合到该热传导环之上方外部表面区域。2.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中,该热传导中心更具有一主轴,其中该上方与该下方外部表面区域系平行于该主轴,其中该热传导中心更具有一基部,其中该基部系被配置成使得其系垂直于该主轴并且系紧密地接近该下方外部表面区域。3.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中,该上方与该下方外部表面区域系对于该主轴而为同心者。4.如申请专利范围第2项所述之散热装置,其中,该第一传导环系以热力的方式被接合至该上方外部表面区域,使得元件能够被安装在该下方外部表面区域周围并且紧密地接近该下方外部表面区域,并且当该散热装置被安装在一个积体电路装置时系处于该第一传导还下方。5.如申请专利范围第4项所述之散热装置,其中,该等元件系能够占用于该积体电路装置上,而不会以机械的方式与该装置干涉。6.如申请专利范围第4项所述之散热装置,其中,该热传导环系为一个实心主体,其具有一种从包含有圆柱形、圆锥形、正方形、以及矩形群组中挑选出来的形状。7.如申请专利范围第4项所述之散热装置,其中,该热传导中心包括有一个热运输媒介,像是一个或是更多个热交换管、一种液体、一种热力虹吸管、或是其他相似的热运输媒介。8.如申请专利范围第7项所述之散热装置,其中,该热传导中心以及该第一系列的径向延伸散热片系由从包含有铝、铜、以及其他此种能够将热从该积体电路装置吸抽出来之材料群组中挑选出来的材料所制造的。9.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其中,该第一系列的散热片系包含有复数的摺叠散热片。10.如申请专利范围第9项所述之散热装置,其中,该第一复数的摺叠散热片包含有:复数个在一连续带状物中之交互的深与浅摺层,使得该交互的深与浅摺层包裹缠绕着该上方外部表面区域。11.如申请专利范围第10项所述之散热装置,其中,该浅的摺层具有一第一深度,并且该深的摺层具有一第二深度,其中该第一深度系小于该第二深度。12.如申请专利范围第10项所述之散热装置,其中,该热传导环具有复数个狭槽,其平行于该主轴并且围绕着该上方外部表面区域,其中,该第一复数的摺叠散热片系被接附到该等复数的狭槽。13.如申请专利范围第1项所述之散热装置,其更包含有:一个第二传导环,其系被以热力的方式接合到该下方外部表面区域,其中,该第一传导环具有一第一外部直径并且该第二传导环具有一第二外部直径,其中,该第二外部直径系小于该第一外部直径。14.如申请专利范围第13项所述之散热装置,其中,该第二外部直径的尺寸大小系足以容许元件被安装在该第二传导环周围并且紧密地接近该第二传导环,并且当该装置被安装在一积体电路装置上时系处于该第一传导还下方。15.如申请专利范围第14项所述之散热装置,其中,该第二传导环具有一第二系列的径向延伸散热片,其中,该第二系列系被接合至该热传导中心的下方外部表面区域。16.如申请专利范围第15项所述之散热装置,其中,该第二系列包含有第二复数的摺叠散热片。17.如申请专利范围第16项所述之散热装置,其中,该第二复数的摺叠散热片系包含有:复数个在一连续带状物中之交互的深与浅摺层,其系围绕着该下方外部表面区域。18.一种散热系统,其包含有:一个积体电路装置,其具有一个前侧面与一个后侧面,其中,该前侧面系被配置在该后侧面的对面,其中,该前侧面系被接附至一个具有元件之电路板;一个增进的散热装置,其包含有:一个热传导中心,其被接附至该积体电路装置的后侧面,该热传导中心具有上方与下方中心表面区域,其中该等上方与下方中心表面区域具有一第一长度与一第二长度;以及一第一传导环,其具有一第一复数的摺叠散热片,该第一复数的摺叠散热片系以热力的方式被接合至该上方中心表面区域,该第一复数的摺叠散热片系环绕着该上方中心表面区域,该第一传导环之第一长度系足以容许元件被安装在该电路板上并且位于该第一传导环的下方。19.如申请专利范围第18项所述之散热系统,其中,该热传导中心更包含有一基部,其中,该基部系紧密地接近该下方外部表面区域,并且该基部与该积体电路装置之后侧面具有一致的映罩表面尺寸,使得在用于增进将热从该积体电路装置传导出来之操作期间,该积体电路装置、该基部、该第一复数的摺叠散热片、以及该热传导中心之温度系为彼此接近的。20.如申请专利范围第19项所述之散热系统,其系更包含有:一个热运输媒介,其中,该热传导中心更具有一个顶部表面,其系被配置在该基部的对面,并且系紧密地接近该上方中心表面区域,其中,该热传输媒介系被接附至该顶部表面,使得一流动方向的冷却媒介系增进了将热从该积体电路装置吸抽出来,其中,该冷却媒介系被该热运输媒介导入于该第一复数的摺叠散热片上方。21.如申请专利范围第20项所述之散热系统,其系更包含有:一第二传导环,其具有一第二复数的摺叠散热片,该第二复数的摺叠散热片系以热力的方式被接合至该下方中心表面区域,该第二传导环具有一第二直径,该第一传导环具有一第一直径,其中该第二直径系小于该第一直径,并且该第二直径系足以容许元件被安装在该电路板上并且位于该第一传导环的下方。22.如申请专利范围第18项所述之散热系统,其中,该积体电路装置系为一个微处理器。23.一种形成一增进之散热装置的方法,用以将热从一积体电路装置吸抽出来,该积体电路装置系被安装在一已组装好的印刷电路板,该方法包含有:形成一热传导中心,其具有上方与下方中心表面区域;形成一第一系列的径向延伸散热片;从该形成的第一系列形成一第一传导环,其中,该第一传导环具有一第一直径;以及将该第一传导环接附至该上方中心表面区域,使得该下方中心表面区域具有在该第一传导环下方的足够空间,用以容许当元件被安装在该积体电路装置上时系占用于该积体电路装置的周围。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中,形成该第一系列的径向延伸散热片系包含有:形成一第一传导带状物;从该第一传导带状物形成一第一系列交互深与浅的摺层;从该已被形成之第一系列交互深与浅的摺层形成一第一传导环。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其更包含有:形成一第二系列的径向延伸散热片;从该形成的第二系列形成一第二传导环,其中,该第二传导环具有一第二直径,其中该第二直径系小于该第一直径的一半;以及将该第二传导环接附至该下方中心表面区域,使得该第二直径系具有足够的尺寸大小以容许该等元件能够占用于该该积体电路装置周围并且系位于该第一传导环下方。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中,形成该第二系列的径向延伸散热片系包含有:形成一第二传导带状物;从该第二传导带状物形成一第二系列交互深与浅的摺层;从该已被形成之第二系列交互深与浅的摺层形成一第二传导环。27.如申请专利范围第26项所述之方法,其更包含有:将一个积体电路装置接附至该热传导中心。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中,该积体电路装置包含有一个微处理器。29.如申请专利范围第27项所述之方法,其中,该热传导中心、该第一传导环以及该第二传导环系由一种热传导材料制造。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中,该热传导中心、该第一传导环以及该第二传导环系由从包含有铝、铜、以及其他此种能够将热从该积体电路装置吸抽出来之材料群组中挑选出来的材料所制造的。图式简单说明:第一图为一个习知技术之吸热装置的等角视图,该吸热装置系被接附于一个在一已组装主机板上的微处理器;第二图为一个根据本发明之增强的散热装置之一个实施例的等角视图;第三图为一个说明第二图增强的散热装置之等角视图,该散热装置系被接附于一个在一已组装主机板上的微处理器;第四图系为一个形成第二图散热装置之示范性方法的流程图。
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