| 主权项 |
1.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底,于该基底上已形成有埋入式位元线、闸极介电层与字元线;于该基底上形成一第一罩幕层,其中该第一罩幕层具有复数个第一开口,且该些第一开口个别对应该罩幕式唯读记忆体之预编码区;于该些第一开口中形成一介电层;于该第一罩幕层与该介电层上形成具有复数个第二开口之一第二罩幕层,并于该些第二开口中暴露部分之该介电层;完全去除该些第二开口中所暴露之该介电层;去除该第二罩幕层;以该第一罩幕层与该介电层为编码罩幕,进行一编码制程,以于该基底中形成一编码掺杂区;以及去除该第一罩幕层与该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中完全去除该些第二开口中所暴露之该介电层的方法包括湿式蚀刻法。3.如申请专利范围第2项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻液包括选自氢氟酸与缓冲氧化物蚀刻液所组之族群其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该介电层的材质包括选自旋涂玻璃与二氧化矽所组之的族群其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中于该些第一开口中形成该介电层的方法包括下列步骤:于该基底上形成一沈积层以覆盖该基底;以及去除该沈积层至露出该第一罩幕层为止,以形成该介电层。6.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除该第二罩幕层的方法包括直接对该第二罩幕层曝光,再显影去除该第二罩幕层。7.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除该第二罩幕层的方法包括以溶剂溶解去除该第二罩幕层。8.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底,于该基底上已形成有埋入式位元线、闸极介电层与字元线;于该基底上形成一第一罩幕层,其中该第一罩幕层具有复数个第一开口;硬化该第一罩幕层;于该些第一开口中形成一介电层,并且该介电层的材质与该第一罩幕层的材质具有高蚀刻选择比;于该第一罩幕层上形成一第二罩幕层,其中该第二罩幕层具有复数个第二开口;完全去除该些第二开口中所暴露且位于该些第一开口中之该介电层;去除该第二罩幕层;以该第一罩幕层与该介电层为编码罩幕,进行一编码制程以于该基底中形成一编码掺杂区;以及去除该第一罩幕层与该介电层。9.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中完全去除该介电层的方法包括一湿式蚀刻法。10.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻液包括选自氢氟酸与缓冲氧化物蚀刻液溶液所组之族群其中之一。11.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中硬化该第一罩幕层的方法包括对该第一罩幕层进行一离子植入制程。12.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中硬化该第一罩幕层的方法包括对该第一罩幕层进行一电浆处理制程。13.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该介电层的材质包括选自旋涂玻璃与二氧化矽所组之族群其中之一。14.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中于该些第一开口中形成该介电层的方法包括下列步骤:于该基底上形成一沈积层以覆盖该基底;以及去除该沈积层至露出该第一罩幕层为止,以形成该介电层。15.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除该第二罩幕层的方法包括直接对该第二罩幕层曝光,再显影去除该第二罩幕层。16.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中去除该第二罩幕层的方法包括以溶剂溶解去除该第二罩幕层。图式简单说明:第1A图至第1G图所绘示为依照本发明较佳实施例之罩幕式唯读记忆体之制程剖面示意图。 |
