具有低K値电介质特性之互连线结构的制造方法METHODS FOR FABRICATING INTERCONNECT STRUCTURES HAVING LOW K DIELECTRIC PROPERTIES

摘要

一种具有低K值电介质特性之半导体结构之制造方法。举例而言，一铜双重镶嵌结构制成于一低K值电介质绝缘体中，包括在该绝缘体中界定有复数个特征元件之前形成一包覆膜于该绝缘体上方。在铜形成于该复数个特征元件中之后，使用超温和CMP移除铜超载部，然后使用一乾蚀刻制程移除该阻障膜。在阻障膜移除之后，进行第二蚀刻以薄化该包覆膜。该薄化系用以在不移除该包覆膜下降低该包覆膜之厚度，藉以降低K值电介质结构之低K值。