发明名称 | 减低污染物在超临界二氧化碳处理期间生成的方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种于晶圆处理期间可靠地减低在晶圆或基板上生成粒子之方法与系统。该方法与系统系于具有第二压力P2之主要主要来源填充一压力室之前,以经纯化预填充物将压力室填充至第一压力P1,于晶圆处理期间减低基板之残留污染物。以与主要来源之压力P2实质上相等之第一压力P1对一室预填充经纯化预填充物,在主要CO2中所发现的污染物会留在该主要CO2内。因此,此方法与系统减低晶圆处理期间因主要来源减压所致之污染物沉淀,因而减低对应之基板材料污染。 | ||
申请公布号 | TW200303048 | 申请公布日期 | 2003.08.16 |
申请号 | TW092101706 | 申请日期 | 2003.01.27 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 比尔 强尼斯;龙 柏川;道格 史考特 |
分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |