制造具有一低电容率区域之一半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造具有一低电容率区域（24）之一半导体装置（10）之方法，该方法包括在一沟渠（20）表面形成一第一层（30／42）；并蚀刻穿透在该第一层中小于该沟渠宽度（W2）的一开口（70），以自该沟渠中移除一第一材料（38）。沈积一第二材料（44）栓塞于该开口，以密封该沟渠中的一气囊（40）。该低电容率区域之特征为若干具有高容积的气囊，因该开口的较小尺寸能让该第二材料栓塞于该沟渠，而不会明显堆积于该沟渠中。