| 摘要 |
本发明之磁性记忆装置及其制造方法，系同时能解决MRAM构造上之本质性的问题点之高积体化所衍生之信赖性问题及串扰（crosstalk）的问题。本发明之磁性记忆装置1，其写入字线11和位元线12为隔以既定间隔而形成交叉状态，且在该交叉区域设置有由强磁性体层的磁化固定层302和记忆层304挟住通道绝缘层303所构成之TMR元件13，具备：半导体区域22，其中形成有2个读取用电晶体24、24，包含：由斜向横切写入字线11的投影区域之第1区域（22a）；及与位元线12平行上连续于第1区域22a的一端侧而形成的第2区域（22b）；以及与位元线12平行且连续于第1区域22a的他端侧而形成的第3区域（22c）所组成。 |
