采用碳奈管之大容量磁性记忆体

摘要

对利用垂直磁性记录方式之磁化膜，以使纯电气的随机存取进行磁性记录之写入、读取成为可能，并实现记录之大容量及高速化的。对磁性记录膜50配置写入磁化发生手段62及写入字线43，于与此相对的探针基板10上层合读出／写入位线导体41、磁性电阻效应元件20及读出字线导体42，将已内含磁性材料之碳奈管而成的磁性碳针30立设于其上，使读出／写入位线导体电气的导通，写入时在写入磁场之下藉由已介经磁性记录探针及磁性记录膜间之间隙G的写入电流引起的微小放电，加热磁性记录膜之微小领域，并使经由居礼温度而磁化于磁场方向，读取时介经此磁性碳针并作为磁性电阻元件之电流变化，读取此磁性记录。