发明名称 用于液晶显示器在矽上之制品的双层镜面以及制造其之方法
摘要 一种用于制造液晶显示器在矽上之图素装置的方法,包含下列步骤。一具有上矽层的基板系被提供。一介层孔被形成于该矽层中。一不透明的导电层被沈积于该矽层上,而将介层孔填充。该不透明导电层被平坦化,且一反射层被沈积于该不透明导电层上。此外,该介层孔可藉由一金属的沈积与回蚀制程而被形成。在沈积反射层之前,一不透明的导电层接着被沈积并平坦化。一液晶显示器在矽上之图素装置包含具有一上矽层的一基板。该上矽层具有一插塞,其系由一不透明的导电材料所组成。一平坦的不透明导电层系位于该上矽层与该不透明导电插塞上,且一平坦反射层系位于该平坦不透明导电层上。
申请公布号 TW573362 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW089102138 申请日期 2000.02.09
申请人 特许半导体制造公司 发明人 林扬照;高席昂
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路四段三一一号十二楼之一
主权项 1.一种用于制造液晶显示器在矽上之图素装置的方法,其包含的步骤为:一具有上矽层的基板系被提供;一介层孔被形成于该矽层中;一不透明的导电层被沈积于该矽层上,而将介层孔填充;该不透明导电层被平坦化;以及一反射层被沈积于该不透明导电层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该不透明的导电层系由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该反射层可由铝、铝铜合金或铝矽铜合金所组成的族群中选择。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该经平坦化的不透明导电层约为500至5000埃厚。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该经平坦化的不透明导电层约为500至2000埃厚。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该经平坦化的不透明导电层系以化学机械抛光平坦化。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该反射层约300至2000埃厚。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该反射层约1000至2000埃厚。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该反射层系由铝所组成且为约300至2000埃厚。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该反射层系由铝所组成且为约1000至2000埃厚。11.如申请专利范围第1项之方法,包含在该不透明的导电层沈积前,形成一阻障层于该矽层上并衬垫该介层孔的步骤。12.如申请专利范围第1项之方法,包含形成光学界面层于该反射层上的步骤。13.如申请专利范围第1项之方法,包含形成光学界面层于该反射层上的步骤;该光学界面层系由包含ON及多层ON的族群中所选择。14.一种用于制造液晶显示器在矽上之图素装置的方法,包含的步骤有:一具有上矽层的基板系被提供;一介层孔被形成于该矽层中;形成一插基于该介层孔中,其系由一第一不透明导电层所组成;一第二不透明的导电层被沈积于该矽层以及该第一不透明导电层插塞上;该不透明导电层被平坦化;以及一反射层被沈积于该不透明导电层上。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一不透明的导电层系由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择,而该第二不透明的导电层系不同于该第一不透明的导电层,并由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该反射层可由铝、铝铜合金或铝矽铜合金所组成的族群中选择。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该经平坦化的第二不透明导电层约为500至5000埃厚。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该经平坦化的第二不透明导电层约为500至2000埃厚。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二不透明的导电层系以化学机械抛光平坦化。20.如申请专利范围第14项之方法,其中该反射层约300至2000埃厚。21.如申请专利范围第14项之方法,其中该反射层约1000至2000埃厚。22.如申请专利范围第14项之方法,其中该反射层系由铝所组成且为约300至2000埃厚。23.如申请专利范围第14项之方法,其中该反射层系由铝所组成且为约1000至2000埃厚。24.如申请专利范围第14项之方法,包含在该第一不透明的导电层沈积前,形成一阻障层于该矽层上并衬垫该介层孔的步骤。25.如申请专利范围第14项之方法,其中该第一与第二不透明的导电层系由相同的材料所组成。26.如申请专利范围第14项之方法,包含形成光学界面层于该反射层上的步骤。27.如申请专利范围第14项之方法,包含形成光学界面层于该反射层上的步骤;该光学界面层系由包含ON及多层ON的族群中所选择。28.一种液晶显示器在矽上之装置,包含有:一具有上矽层的基板;一位于该上矽层中的插塞,该插塞系由一不透明导电材料所组成;一平坦不透明的导电层,其被沈积于该上矽层以及该不透明导电层插塞上;以及一平坦的反射层,其位于该平坦不透明导电层上。29.如申请专利范围第28项之装置,其中该不透明的导电插塞系由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择,而该平坦的不透明的导电层系不同于该不透明的导电插塞,并由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择。30.如申请专利范围第28项之装置,其中该不透明的导电插塞与该平坦不透明的导电层被整合,并由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴选择的材料所组成,并由钨、钛、氮化钛、铬、银、钴及氮化钴所组成的族群中被选择。31.如申请专利范围第28项之装置,其中该反射层可由铝、铝铜合金或铝矽铜合金所组成的族群中选择。32.如申请专利范围第28项之装置,其中该经平坦化的不透明导电层约为500至5000埃厚。33.如申请专利范围第28项之装置,其中该经平坦化的不透明导电层约为500至2000埃厚。34.如申请专利范围第28项之装置,其中该平坦不透明的导电层系以化学机械抛光平坦化。35.如申请专利范围第28项之装置,其中该反射层约300至2000埃厚。36.如申请专利范围第28项之装置,其中该反射层约1000至2000埃厚。37.如申请专利范围第28项之装置,其中该反射层系由铝所组成且为约300至2000埃厚。38.如申请专利范围第28项之装置,其中该反射层系由铝所组成且为约1000至2000埃厚。39.如申请专利范围第28项之装置,包含位于该矽层上并衬垫该介层孔的一阻障层。40.如申请专利范围第28项之装置,包含光学界面层于该反射层上。41.如申请专利范围第28项之装置,包含光学界面层于该反射层上;该光学界面层系由包含ON及多层ON的族群中所选择。图式简单说明:第1图系以横剖面图示意地举例说明一种用于形成为本发明人所熟知之一液晶显示器在矽上之镜面元件的方法。第2图至第6图系以横剖面图示意地举例说明一本发明的较佳实施例。
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