用于垂直电晶体之非对称内间隔物

摘要

本发明揭示一种DRAM阵列，该DRAM阵列具有使用垂直电晶体之DRAM单元，该DRAM阵列在连接字线和电晶体间藉由使用一非对称结构，来增加电力可靠性并降低位元线电容，藉此在该字线和该电晶体电极间可容许使用一较宽连接，并可在对该字线定图案时，将该字线作为蚀刻终止来保护该电晶体闸极。