| 主权项 |
1.一种制造无位错矽单晶之方法,其包含步骤:制备一种由硼浓度为11018原子个数/立方公分或更高之无位错矽单晶形成的种晶;制备一种硼浓度与该种晶相差71018原子个数/立方公分或更少之矽熔融物;及将该种晶与该矽熔融物接触而长成矽单晶,其中该矽熔融物并未掺杂硼。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使用Czoch ralski法或浮动区域法于生长矽单晶。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该种晶之硼浓度系于11018原子个数/立方公分至71018原子个数/立方公分之间。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该种晶之硼浓度系于31018原子个数/立方公分至51018原子个数/立方公分之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽熔融物包含至少一种选自磷、砷及锑之元素。图式简单说明:图1系种晶中的硼浓度与本发明实施例及比较实施例中长成晶体中的硼浓度之间的关系图;图2A-2C系先前技艺及本发明之实施例及比较实施例中矽单晶的X射线形貌影像;而图3系本发明之实施例中另一个矽单晶的X射线形貌影像。 |
