| 主权项 |
1.一种清洁乾燥晶片之装置,系包括:一清洁晶片用之清洗区,该清洗区设有供应清洗溶液或去离子水之高流量组件与单向流动组件,亦有排放清洗溶液及去离子水之快速排水组件于其中,且更包括了一水阻値计,可量测在冲洗晶片之去离子水阻値;一乾燥晶片之乾燥区,其可水平移动,且有一喷雾组件设于所述乾燥区之上部区域;一可上下之移动之狭槽,其系位于所述清洗区和乾燥区之间,以及一具间隙之轨道,其设于所述清洗区和乾燥区间,以使该乾燥区可沿着该具间隙之轨道水平移动,而使得所述清洗区和乾燥区连接/分开,且该轨道之间隙系设于所述清洗区和乾燥区之间。2.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述高流量组件系位于所述清洗区之底部,其作用在于供应流速介于30~70 L/min之所述清洗溶液或所述去离子水。3.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述单向流动组件系位于所述清洗区上方5~30mm下,且单向流入所述清洗溶液或所述去离子水至所述清洗区中。4.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述水阻値计系量测在所述清洗区中进行晶片冲洗程序时之去离子水阻値,若所述水阻値计测得去离子水阻値介于15~30M之间并维持5~60秒之结果,此时,所述水阻値计传送讯号至一狭槽(slotter),使所述狭槽进行抬升和抬降之动作。5.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述清洗区排放清洗溶液后供应去离子水,而所述乾燥区藉由所述具间隙之轨道移动使其与所述清洗区连接。6.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述清洗区充满去离子水且正进行晶片冲洗程序,此时所述喷雾组件供应有机极性溶剂之蒸气和惰性气体至所述乾燥区中。7.如申请专利范围第1项所述清洁乾燥晶片之装置,其中所述清洗区和所述乾燥区间之所述具间隙之轨道之间隙大小介于0.5~0.1mm之间。图式简单说明:图一系为本发明实施例中清洁乾燥晶片之装置的结构剖面示意图。图二A为本发明实施例中于乾燥机使用清洗溶液清洗晶片的剖面示意图。图二B为本发明实施例中于乾燥机使用去离子水于清洗区冲洗晶片和形成有机极性溶剂气体于乾燥区的剖面示意图。图二C为本实施例中将晶片移至乾燥区中,使有机极性溶剂之蒸气取代晶片表面之水气和湿气之剖面示意图。图二D为本实施例中之乾燥区仅提供惰性气体以乾燥晶片表面之剖面示意图。 |
