| 主权项 |
1.一种多晶片堆叠封装体,包含:一载板,具有一上表面;一第一晶片,具有一第一主动表面及一第一背面,其中该第一晶片系以该第一背面设置在该载板之该上表面,且藉一第一导电线与该载板电性连接;一黏着层,系形成于该第一晶片之该第一主动表面上;一第二晶片,具有一第二主动表面及一第二背面,其中该第二晶片系以该第二背面设置在该黏着层上,且藉一第二导电线与该载板电性连接;以及一支撑体,系设置于该第一晶片之周边且设置于该第二晶片之下方。2.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系大于该第一导电线之弧高顶点。3.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系小于该第二晶片与该载板间之距离。4.如申请专利范围第3项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体更具有一顶端,该顶端系与该第二晶片之该第二背面间有一固定距离。5.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该载板上表面更包含一打线接合垫用以与该第一导电线连接,且该支撑体系设置于该打线接合垫之外侧。6.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一胶体。7.如申请专利范围第6项所述之多晶片堆叠封装体,其中该胶体系环绕设置于该第一晶片之周边。8.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一凸块。9.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一焊球。10.如申请专利范围第8项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一锡铅凸块。11.如申请专利范围第8项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一金凸块。12.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该黏着层之顶面系高于该第一导电线之弧高顶点。13.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以环状形式设置于该载板上。14.如申请专利范围第1项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以条状形式设置于该载板上。15.一种多晶片堆叠封装体,包含:一载板,具有一上表面;一第一晶片,具有一第一主动表面及一第一背面,其中该第一晶片系以该第一背面设置在该载板之该上表面,且藉一第一导电线与该载板电性连接;一中介垫,系设置于该第一晶片之该第一主动表面上;一第二晶片,具有一第二主动表面及一第二背面,其中该第二晶片系以该第二背面设置在该中介垫上且藉一第二导电线与该载板电性连接;及一支撑体,系设置于该第一晶片之周边且设置于该第二晶片之下方。16.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系大于该第一导电线之弧高顶点。17.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系小于该第二晶片与该载板间之距离。18.如申请专利范围第17项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体更具有一顶端,该顶端系与该第二晶片之该第二背面间有一固定距离。19.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该载板上表面更包含一打线接合垫用以与该第一导电线连接,且该支撑体系设置于该打线接合垫之外侧。20.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一胶体。21.如申请专利范围第20项所述之多晶片堆叠封装体,其中该胶体系环绕设置于该第一晶片之周边。22.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一凸块。23.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一焊球。24.如申请专利范围第22项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一锡铅凸块。25.如申请专利范围第22项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一金凸块。26.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该中介垫之顶面系高于该第一导电线之弧高顶点。27.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该中介垫系为一虚晶片。28.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以环状形式设置于该载板上。29.如申请专利范围第15项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以条状形式设置于该载板上。30.一种多晶片堆叠封装体,包含:一载板,具有一上表面;一第一晶片,具有一第一主动表面及一第一背面,其中该第一晶片系以该第一背面设置在该载板之该上表面,且藉一第一导电线与该载板相电性连接;一黏着层,系形成于该第一晶片之该第一主动表面上;一第二晶片,具有一第二主动表面及一第二背面,其中该第二晶片系以该第二背面设置在该黏着层上,且藉一第二导电线与该载板电性连接;以及一支撑体,系设置于该第一晶片之该第一主动表面上且配置于该第二晶片之下方。31.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系大于该第一导电线之弧高顶点。32.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系小于该第二晶片与该载板间之距离。33.如申请专利范围第32项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体更具有一顶端,该顶端系与该第二晶片之该第二背面间有一固定距离。34.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片之该第一主动表面更包含一晶片接合垫用以电性连接该第一导电线与该载板,且该支撑体系设置于该晶片接合垫之内侧。35.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一胶体。36.如申请专利范围第35项所述之多晶片堆叠封装体,其中该胶体系环绕设置于该黏着层之周边。37.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一凸块。38.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一焊球。39.如申请专利范围第37项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一锡铅凸块。40.如申请专利范围第37项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一金凸块。41.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该黏着层之顶面系高于该第一导电线之弧高顶点。42.如申请专利范围第37项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片更具有一虚焊垫,该焊垫上系形成一虚凸块。43.如申请专利范围第42项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片之该虚焊垫上,更形成一球底金属层,且该虚凸块系形成于该球底金属层上。44.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以环状形式设置于该第一晶片上。45.如申请专利范围第30项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以条状形式设置于该第一晶片上。46.一种多晶片堆叠封装体,包含:一载板,具有一上表面;一第一晶片,具有一第一主动表面及一第一背面,其中该第一晶片系以该第一背面设置在该载板之该上表面,且藉一第一导电线与该载板电性连接;一中介垫,系形成于该第一晶片之该主动表面上;一第二晶片,具有一第二主动表面及一第二背面,其中该第二晶片系以该第二背面设置在该中介垫上,且藉一第二导电线与该载板电性连接;以及一支撑体,系设置于该第一晶片之该第一主动表面上且配置于该第二晶片之下方。47.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系大于该第一导电线之弧高顶点。48.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体具有一高度,该高度系小于该第二晶片与该载板间之距离。49.如申请专利范围第48项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体更具有一顶端,该顶端系与该第二晶片之该第二背面间有一固定距离。50.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片之该第一主动表面更包含一晶片接合垫用以电性连接该第一导电线与该载板,且该支撑体系设置于该晶片接合垫之内侧。51.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一胶体。52.如申请专利范围第51项所述之多晶片堆叠封装体,其中该胶体系环绕设置于该黏着层之周边。53.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一凸块。54.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一焊球。55.如申请专利范围第53项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一锡铅凸块。56.如申请专利范围第53项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系为一金凸块。57.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该中介垫之顶面系高于该第一导电线之弧高顶点。58.如申请专利范围第53项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片更具有一虚焊垫,该焊垫上系形成一虚凸块。59.如申请专利范围第58项所述之多晶片堆叠封装体,其中该第一晶片之该虚焊垫上,更形成一球底金属层,且该虚凸块系形成于该球底金属层上。60.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该中介垫系为一虚晶片。61.如申请专利范围第46项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以环状形式设置于该第一晶片上。62.如申请专利范围第40项所述之多晶片堆叠封装体,其中该支撑体系以条状形式设置于该第一晶片上。图式简单说明:图1为一示意图,显示习知多晶片封装体的剖面示意图。图2为一示意图,显示另一习知多晶片堆叠封装体的剖面示意图。图3为一示意图,显示本发明第一较佳实施例之多晶片堆叠封装体之剖面示意图。图4为一示意图,显示本发明第二较佳实施例之多晶片堆叠封装体之剖面示意图。图5为一示意图,显示本发明第三较佳实施例之多晶片堆叠封装体之剖面示意图。图6为一示意图,显示本发明第四较佳实施例之多晶片堆叠封装体之剖面示意图。 |
