发明名称 多晶矽薄膜的制造方法
摘要 本发明系利用一般多晶矽层形成时表面突起具有不同高度的现象,利用部分高度较高的突起产生晶种,使用于接下来的结晶化步骤中,因此能够使新形成的多晶矽薄膜具有大小均匀且颗粒较大的晶粒,并具有数量与密度较少的突起,进而具有较佳的表面平坦度。
申请公布号 TW200428660 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW092115200 申请日期 2003.06.05
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 张茂益
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号