| 主权项 |
1.一种二次电池,包括:一印刷电路板材质的上容纳槽,系用以容纳一电解物质;一印刷电路板材质的下容纳槽,系用以容纳该电解物质;一二次电池核心组件,系夹置于该上容纳槽与该下容纳槽之间;一印刷电路板材质的上壳体,系覆盖密封该上容纳槽;一印刷电路板材质的下壳体,系覆盖密封该下容纳槽;其中该上壳体、该上容纳槽、该电池核心组件、该下容纳槽、该下壳体,系分别依序积层堆叠成一密接结构的二次电池。2.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该电解物质,系为有机溶剂或非水系溶剂所构成的电解质。3.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该电解物质,系为有机溶剂或非水系溶剂所构成的电解液。4.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该电解物质,系为能够施以喷射、涂布作业方式之类电解材料。5.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该上容纳槽的结构,系一矩形中空框架。6.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该上容纳槽进一步包含一透气孔。7.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该下容纳槽的结构,系一矩形中空框架。8.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该下容纳槽进一步包含一透气孔。9.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该二次电池核心组件,系选自于用来制造锂充电电池、镍氢充电电池、锂高分子充电电池的电池核心组件。10.如申请专利范围第1项所述之二次电池,其中该二次电池核心组件,包括:一正极、一隔离件、一负极。11.如申请专利范围第1项所述之二次电池,进一步包括上止漏层,系覆盖密封该上壳体,以及系用以防止容纳于该上容纳槽的电解物质外漏至外部。12.如申请专利范围第1项所述之二次电池,进一步包括下止漏层,系覆盖密封该下壳体,以及系用以防止容纳于该下容纳槽的电解物质外漏至外部。13.如申请专利范围第11项所述之二次电池,其中该上止漏层包括:一印刷电路板材质的上槽部,系用以容纳自该上容纳槽外漏的电解物质;一印刷电路板材质的上盖板,系覆盖密封该上槽部。14.如申请专利范围第11项所述之二次电池,其中该上止漏层包括:一吸收材质的的上吸收部,系用以吸附自该上容纳槽外漏的电解物质;一印刷电路板材质的上盖板,系覆盖密封该上吸收部。15.如申请专利范围第12项所述之二次电池,其中该下止漏层包括:一印刷电路板材质的下槽部,系用以容纳自该下容纳槽外漏的电解物质;一印刷电路板材质的下盖板,系覆盖密封该下槽部。16.如申请专利范围第12项所述之二次电池,其中该下止漏层包括:一吸收材质的的下吸收部,系用以吸附自该下容纳槽外漏的电解物质;一印刷电路板材质的下盖板,系覆盖密封该下吸收部。17.如申请专利范围第11项所述之二次电池,进一步包括:一感测器,系设置该上止漏层中,以及系用以侦测该上止漏层是否已经容纳有外漏的电解物质18.如申请专利范围第12项所述之二次电池,进一步包括:一感测器,系设置该下止漏层中,以及系用以侦测该下止漏层是否已经容纳有外漏的电解物质。19.如申请专利范围第11项所述之二次电池,进一步包括:一金属薄板,系覆盖密封该上止漏层。20.如申请专利范围第12项所述之二次电池,进一步包括:一金属薄板,系覆盖密封该下止漏层。21.如申请专利范围第1项所述之二次电池,进一步包括:一线路控制层,系包括一印刷电路基板,以及设置在该印刷电路基板的至少一个以上的电子元件,其中该线路控制层系与该二次电池积层堆叠呈密接结构。22.如申请专利范围第1项所述之二次电池,进一步包括一导通孔,系分别设置在该上容纳槽、该上容纳槽、该二次电池核心组件、该上壳体、该下壳体。23.如申请专利范围第11项所述之二次电池,进一步包括一导通孔,系设置在该上止漏层。24.如申请专利范围第12项所述之二次电池,进一步包括一导通孔,系设置在该下止漏层。25.如申请专利范围第21项所述之二次电池,进一步包括一导通孔,系设置在该线路控制层。26.如申请专利范围第21项所述之二次电池,其中该印刷电路板材质,系选自于FR4、软性电路板(FlexiblePrinted Circuit Board)。图式简单说明:第一图显示本发明二次电池的立体图。第二图显示本发明二次电池的分解图。第三图显示本发明二次电池的断面图。第四图显示本发明设置有上、下止漏层的二次电池的立体图。第五A图显示本发明的上止漏层的分解图。第五B图显示本发明的下止漏层的分解图。第六A图显示本发另一实施例的上止漏层的分解图。第六B图显示本发另一实施例的下止漏层的分解图。第七图显示本发明设置有金属薄板的二次电池的立体图。第八图显示本发明的金属薄板的构造图。第九图显示本发明设置有线路控制层的二次电池的立体图。第十图显示本发明的线路控制层的构造图。第十一图显示本发明设置有导通孔的二次电池的立体图。 |
