金属碳化物闸极结构及其制造方法

摘要

本发明提供例如互补金氧半导体(CMOS)之半导体元件及其制造方法。此半导体元件包含至少一场效电晶体，场效电晶体包含一闸极，且闸极包含一金属碳化物。此互补金氧半导体包含双功函数金属闸电极，藉此一金属和一金属之碳化物提供双功函数。