| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在双极电晶体中，于本质基极区域正下方设置SIC，可抑制填隙效应，和藉由本质基极区域薄膜化而提升fT。SIC层的杂质浓度越高，其效果越大。另一方面，SIC层之杂质浓度升高时，VCEO会降低，而且fT提升及填隙效应的抑制与VCEO特性系为权衡(trade–off)关系。其中，在本质基极区域正下方设置与本质基极区域抵接的第二SIC层；在第二SIC层的正下方设置杂质浓度比第二SIC层高的第一SIC层。藉由第一SIC层，可缩小集极宽度，且抑制填隙效应，而藉由第二SIC层可切断本质基极区域下端，而提升fT。又，藉由采用第一SIC层之杂质的扩散系数大于第二SIC层之杂质的扩散系数之构成，可利用一次热处理，形成深度不同的两个SIC层。 |
