| 摘要 |
本发明揭露一晶片或晶片封装之一结构，其具有最终保护层(final passivation)以及终端冶金(terminal metallurgy)，其中终端冶金系为机械性地解耦(mechanically decoupled)，但为电性地耦合到多层的晶片上内连线(on–chipinterconnects)。此解耦允许晶片在最终保护区域的封装应力(packaging stresses)下存活，其具有来自解耦区域及其中的顺应式导线(compliant leads)之应变松驰(strain relief)，因此晶片上的内连线层不会感受到这些外部封装或其他应力。此结构特别地适用于由铜和低介电值(相较于二氧化矽具有较差的机械特性)所构成的晶片上之内连线。此解耦区延伸到晶圆上所有晶片。可能也延伸到边缘密封(edgeseal)或切割通道(dicing channel)区域，以容许晶片切割并且容许保留晶圆上所有晶片周围的机械性解耦。 |
