发明名称 | 记忆装置存取方法及相关装置 | ||
摘要 | 本发明提供一记忆装置的存取方法及相关装置。在本发明的一实施例中,该记忆装置具有双通道,而各通道上连接的记忆阵列为不对称之配置;也就是各通道上分别连接有至少一个相同容量的记忆阵列而形成双通道上成对之对称配置部分,但另外至少有一未成对之记忆阵列而形成双通道之不对称配置部分。在存取该记忆装置时,本发明系以单通道之传输频宽来存取不对称配置部分之资料,而以双通道之高传输频宽来存取对称部分的资料。这样一来,即使配置于双通道之记忆阵列并不对称,本发明仍可利用双通道的特性来提升记忆装置的存取效能。 | ||
申请公布号 | TW200601350 | 申请公布日期 | 2006.01.01 |
申请号 | TW093118387 | 申请日期 | 2004.06.24 |
申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 刘明熙;谢博伟;赖瑾 |
分类号 | G11C5/02 | 主分类号 | G11C5/02 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新店市中正路535号8楼 |