发明名称 一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片
摘要 本发明提供了一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片,包括:电介质层;薄膜状的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极形成在电介质层的上表面上并且相互间隔开;其中,第一电极具有沿第一方向延伸的第一主体部和从第一主体部的一侧沿横向于第一方向的第二方向伸出的多个第一指状部;每一第一指状部的末端部和/或侧部邻近于第二电极,从而在第一电极和第二电极之间的相互邻近处限定了电场施加区域;和在电场施加区域内形成的通孔,通孔在垂直于电介质层的上表面的方向上穿透电介质层。本发明的一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片,通过设计MEMS芯片的电极的形状和样式,使其可以对样品进行加电场或同时加热加电场。
申请公布号 CN105084290B 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201510395317.4 申请日期 2015.07.07
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 杨新安;张庆华;谷林;姚湲
分类号 B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H01J37/20(2006.01)I 主分类号 B81B1/00(2006.01)I
代理机构 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人 范晓斌;康正德
主权项 一种用于透射电子显微镜的样品杆的MEMS芯片,用于承载待由所述透射电子显微镜检测的样品,包括:电介质层;薄膜状的第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极形成在所述电介质层的上表面上并且相互间隔开;其中,所述第一电极具有沿第一方向延伸的第一主体部和从所述第一主体部的一侧沿横向于所述第一方向的第二方向伸出的多个第一指状部;每一第一指状部的末端部和/或侧部邻近于所述第二电极,从而在所述第一电极和所述第二电极之间的相互邻近处限定了电场施加区域;在所述电场施加区域内形成的通孔,所述通孔在垂直于所述电介质层的所述上表面的方向上穿透所述电介质层;和用作加热电极的薄膜状的第三电极,所述第三电极形成在所述电介质层的上表面上并且与所述第一电极和所述第二电极相互间隔开,所述第三电极延伸经过各个电场施加区域并邻近于其内的所述通孔,从而在所述第三电极被施加电流时向所述通孔处的所述样品提供所需要的热量;其中,在工作时,所述样品被承载在所述通孔处并通过向所述第一电极和所述第二电极施加电压而向所述样品施加所需要的电场。
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