发明名称 |
对存储器装置编程的方法以及相关的存储器装置 |
摘要 |
本发明公开了一种对存储器装置进行编程的方法,包括以下步骤:执行一插入编程,包括:在一第一时段对一第一存储单元编程,并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证;在一第三时段对一第二存储单元编程,并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证,该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间;以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期,以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。 |
申请公布号 |
CN106158030A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510207775.0 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
柯文昇;苏资翔;吴昭谊;李祥邦;张育铭 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种对存储器装置编程的方法,该存储器装置包括多个存储单元,该方法包括:执行一插入编程,包括:在一第一时段对所述存储单元中的一第一存储单元编程,并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证;在一第三时段对所述存储单元中的一第二存储单元编程,并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证,该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间;以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期,以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |