发明名称 对存储器装置编程的方法以及相关的存储器装置
摘要 本发明公开了一种对存储器装置进行编程的方法,包括以下步骤:执行一插入编程,包括:在一第一时段对一第一存储单元编程,并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证;在一第三时段对一第二存储单元编程,并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证,该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间;以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期,以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。
申请公布号 CN106158030A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201510207775.0 申请日期 2015.04.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 柯文昇;苏资翔;吴昭谊;李祥邦;张育铭
分类号 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 宋焰琴
主权项 一种对存储器装置编程的方法,该存储器装置包括多个存储单元,该方法包括:执行一插入编程,包括:在一第一时段对所述存储单元中的一第一存储单元编程,并对应地在一第二时段对该第一存储单元进行验证;在一第三时段对所述存储单元中的一第二存储单元编程,并对应地在一第四时段对该第二存储单元进行验证,该第四时段介于该第一时段与该第二时段之间;以及在该第一时段与该第二时段之间插入至少一延迟周期,以确保该第一存储单元的单位时间电阻值变化小于一阈值。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号