| 主权项 |
1﹒如下式化合物之制法式中x及Y各选自氢、卤素 、低级烷基、低级烷氧基、卤低级烷基、苯氧基 及氰基。此包括令如下式氧化与3一次甲基 在惰性溶剂中,于室温及大气压或稍昇温度及压 力下反应。 2﹒依请求专利部份第1项之制法,其中氧化就地 加如下式氯式中X及Y同请求专利部份第1项 之规定及硷于3一次甲基溶液中来制造。 3﹒依请求专利部份第1项之制法,其中硷为一种叔 胺。 4﹒依请求专利部份第1项之制法,其中硷为三乙胺 。 5﹒依请求专利部份第1-4项之制法,其中X为氢 ,Y为卤素)低级烷基,低级烷氧基,卤低级烷 基。苯氧基,苯基及氰基。 6﹒依请求专利部份第1-4﹒项之制法,其中卤低 级烷基为三氟甲基。 7﹒依请求专利部份第1-4项之制法,其中X为氢 ,Y为在对位之氯。 8﹒依请求专利部份第1-4项之制法,其中X为氢 ,Y为在对位之氟。 9﹒依请求专利部份第1-4项之制法,其中X为氢 ,Y为在偏位之苯氧基。 10﹒依请求专利部份第6项之制法,其中X为氢,Y 为在偏位之三氟甲基。 11﹒如下式3一芳基一异唑一5一基苯甲酸及其酯 之制法式中R为氢或R'CH2─而R'为氢或C 1─4烷基,包括令如下式螺化合物芳基;在酸 性条件下于室温至ROH化合物之回流温度与R OH反应。 12﹒依请求专利部份第11项之制法,其中温度为R OH化合之回流温度。 13﹒依请求专利部份第11项之制法,其中R为R' CH2─。 14﹒依请求专利部份第11项之制法,其中式中x及 Y独自选自氢、卤素、低级烷基、低级烷氧基, 卤低级烷基,苯氧基及苯基。 15﹒依请求专利部份第11项之制法,Y为三氟甲基 。 16﹒依请求专利部份第11项之制法,此包括令如下 式螺化合物式中X及Y同请求专利部份第1项之 规定,在触煤量硫酸之存在下与R'CH2OH 反应,其中R'为氢或C1─4烷基。 |
