| 主权项 |
1﹒用以制备嗯并[3,2─c]啶之方法,其 中,4,5,6,7─四氢嗯并[3,2─c ]啶系于气相中,以350至600℃之温度 进行催化脱氢作用,使用之触媒含有至少一种金 属氧化物,该金属系选用自铬、镍、钼、钴及钨 ,触媒本身则沉积于惰性担体表面,又4,5, 6,7─四氢嗯并[3,2─c]啶之分压 或总压系5至1000毫米水银柱,及与触媒之 接触时间介于0﹒1秒至10分钟之间。 2﹒如请求专利部份第一项之方法、其中所用之触 媒 另含有至少一种金属氧化物,该金属系指镁及/ 或钠及/或铁。 3﹒如前述请求专利部份中之任一方法,其中之催 化 脱氢反应系于450至500℃间之温度进行。 4﹒如请求专利部份第一项之方法,其中4,5,6 ,7─四氢嗯并[3,2─c]之分压或 总压介于50至150毫米水银柱之间。 5﹒如请求专利部份第一项之方法,其中之接触时 间 为1至10秒。 6﹒如前述请求专利部份中之任一方法,其中之气 相 含有惰性稀释剂。 7﹒如请求专利部份第六项之方法,其中之惰性稀 释 剂为氮、氦、氖或氩。 8﹒如前述请求专利部份中之任一方法,其中之惰 性 担体为氧化铝、活性炭、二氧化矽或矽藻土。 9﹒如前述请求专利部份中之任一方法,其中之触 媒 系由氧化铬(Cr2O3)依1至33重量%之 用量沉积于惰性担体表面而成,此外亦可含有少 量的氧化镁及/或氧化钠及/或氧化铁。 10﹒如请求专利部份第九项之方法,其中之触媒含 有 15至于重量%之氧化铬。 11﹒如请求专利部份第一项至第八项中之 任一方 法 ,其中之触媒含有1至5重量%之氧化镍或氧化 钴以及5至20重量%之氧化钼,彼等皆沉积于 惰性担体之表面。 12﹒如请求专利部份第一项至第八项中之任一方 法, 其中之触媒含有3至10重量%之镍以及5至2 5重量%之钨,彼等皆沉积于惰性担体之表面。 13﹒如请求专利部份第九项至第十二项中之任一 方法 ,其中之惰性担体为氧化铝。 14﹒如请求专利部份第一项之用以制备嗯并[3, 2─c]啶之方法,大致如前述例示者。 15﹒依请求专利部份第一项至第十四项中之任一 方法 制成之嗯并[3,2─c]啶。 |
