| 发明名称 |
PROCEDE DE RAFFINAGE DE TETRAFLUORURE DE SILICIUM GAZEUX |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE RAFFINAGE D'UN TETRAFLUORURE DE SILICIUM GAZEUX, CONTENANT AU MOINS UN SILICOFLUORURE CONTENANT DE L'OXYGENE COMME IMPURETE.</P><P>SELON L'INVENTION, ON MET LE TETRAFLUORURE DE SILICIUM GAZEUX EN CONTACT AVEC DU FLUORURE D'HYDROGENE EN PRESENCE D'UN MILIEU LIQUIDE QUI A UNE FORTE AFFINITE POUR L'EAU, AFIN DE FORCER AINSI LE SILICOFLUORURE CONTENANT DE L'OXYGENE A REAGIR AVEC LE FLUORURE D'HYDROGENE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT A LA PREPARATION DE TETRAFLUORURE DE SILICIUM GAZEUX DE HAUTE PURETE POUR LA PREPARATION DE SILICIUM SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE.</P>
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| 申请公布号 |
FR2510982(A1) |
申请公布日期 |
1983.02.11 |
| 申请号 |
FR19820013412 |
申请日期 |
1982.07.30 |
| 申请人 |
CENTRAL GLASS CY LTD |
发明人 |
NAOMICHI KITSUGI, TERUO FUJINAGA ET TOYOZO OTSUKA;FUJINAGA TERUO;OTSUKA TOYOZO |
| 分类号 |
C01B33/02;C01B33/037;C01B33/107;(IPC1-7):C01B33/08 |
主分类号 |
C01B33/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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