发明名称 3 THREE DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD THEREOF
摘要 본 발명의 3차원 메모리 장치는, 복수의 워드라인 평면들이 적층된 메모리 셀 어레이, 선택된 워드라인 평면에 구비된 적어도 둘 이상의 페이지의 메모리 셀들을 동시에 프로그램하는 기입 독출 회로, 그리고 상기 기입 독출 회로의 프로그램 동작을 제어하는 제어 회로를 포함할 수 있다.
申请公布号 KR101682662(B1) 申请公布日期 2016.12.06
申请号 KR20090065955 申请日期 2009.07.20
申请人 삼성전자주식회사 发明人 설광수
分类号 G11C16/02;G11C16/06;G11C16/08 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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