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发明名称
3 THREE DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND PROGRAMMING METHOD THEREOF
摘要
본 발명의 3차원 메모리 장치는, 복수의 워드라인 평면들이 적층된 메모리 셀 어레이, 선택된 워드라인 평면에 구비된 적어도 둘 이상의 페이지의 메모리 셀들을 동시에 프로그램하는 기입 독출 회로, 그리고 상기 기입 독출 회로의 프로그램 동작을 제어하는 제어 회로를 포함할 수 있다.
申请公布号
KR101682662(B1)
申请公布日期
2016.12.06
申请号
KR20090065955
申请日期
2009.07.20
申请人
삼성전자주식회사
发明人
설광수
分类号
G11C16/02;G11C16/06;G11C16/08
主分类号
G11C16/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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