发明名称 复合氧化物触媒之制造方法
摘要
申请公布号 TW098314 申请公布日期 1988.04.16
申请号 TW076100913 申请日期 1987.02.23
申请人 三菱油化工程股份有限公司 发明人 小林勇;石井洋一;猿丸浩平
分类号 B01J37/02;B01J37/08 主分类号 B01J37/02
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.至少含有Sb,Mo,V 及/或Nb 之 复合氧化物触媒之制法,其系将所需 之个别元素置入复合物中,再令复合 物接受热处理以形成复合氧化物触媒 ,其改良法系使用以下式代表之复合 氧化物作为至少一部分之Sb 源,且 其业已事先于600至900C之温度下 加热: Sbp一Xq一Yr一Oz 其中X代表Ni,Fe,Co及Ri中之 至少一种元素,Y代素Al及Si中 之至少一种元素;p为1一40,q为 1一20且r为0一10,但当r为0时, 则以X代表之Ni至少有一部分需由 碳酸镍所供应,且Z为依个别成份之 氧化程度所定之数。2.至少含有Sb,Mo,V及/或Nb之复 合氧化物触媒之制法,其系将所需之 个别元素置入复合物中,再令复合物 接受热处理以形成复合氧化物触媒, 其改良法乃包括使用以下式所代表之 复合氧化物作为至少一部分之Sb源 其业已事先于600至900C之温度下 加热且系藉使用碳酸镍作为至少一部 分之Ni源而得: Sbp一Niq一Yr一O, 其中Y代表Al及/或Si,p为1一 40,q为1一20且r为0一10;此式 仅说明构份而未述及构份之比率。3.根据请求专 利部分第2.项之方法,其 中,式Sbp一Niq一Yr一O所代表之复 合氧化物系藉将含有氧化锑及碳酸镍 及(如需要的话)硅石及/或矾土之 水性浆状物蒸发至乾,再将所得固体 产物于600至900C下,于空气之存 在下毁烧制得。4.根据请求专利部分第3.项之方法 ,其 中,烧温度乃介于650至850C间 。5.根据请求专利部分第2.项之方法,其 中Sbp一Niq一Yy-O 所表示之复合氧 化物系以下列组成物代表: Sbw一Nix一Yy一Oz, 其中w,x,y及z乃具有下列之定 义: w:1一20, x:1一10, y:0一5且 z:依个别成分之氧化程度所定 之数。6.根据请求专利部分第2.项之方法,其 中,复合氧化物触媒系以下列组成物 代表: Sba一Nob一(V及/或Nb)c一Nid一 Ye一Af-Og, 其中Y代表Si及/或Al;A代表任 意之组份元素;a一g为下列値: a:1一100; b:1一100, c:0.1一50, d:1一100, e:0一200, f:0.1一50, g:依个别成分之氧化程度所定 之数。7.根据请求专利部分第6.项之方法,其 中,a一f乃代表下列之値: a:1一100, b:1一50, c:1一20, d:10一100, e:0一100, f:1一208.根据请求专利部分第6.项之方法,其 中,任意元素A乃为W,Cu,Fe 及 /或Co。9.根据请求专利部分第2.项之方法,其 中,复合氧化物触媒之平均孔径至少 为5,000A。10.至少含有Sb,Mo,V及/或Nb之 复合氧化物触媒之制法,其系将所需 之个别元素置入复合物中,再令复合 物接受热处理以形成复合氧化物触媒 ,其改良法乃包括使用以下式所代表 之复合氧化物作为至少一部分之Sb 源,其业已事先于600至900C之温 度下加热: Sbp一xQ一Sirr一O, 其中X代表Ni,Fe,Co,及Bi中之 至少一种元素;p为1一40,q为1 一2O,rr为1一10。11.根据请求专利部分第10.项之方 法,其 中,以式Sbp一Xq一Sirr一O 所代表之 复合氧化物系藉将三氧化锑,Fe, Co或Ni中之一元素之硝酸盐或氯 化物及硅石之水性浆状物蒸发至乾, 再将所得之固体产物于600至900C 下,于空气之存在下 烧而得。12.根据请求专利部 分第11.项之方法,其 中, 烧温度乃介于650至850C之 范围间。13.根据请求专利部分第12.项之方法,其 中,以式Sbp一Xq一Sirr一O 所代表之 复合氧化物系以下列组成物代表: Sbw一Nix一Siy一Oz, 其中,w,x,Y,及z具有下列之 定义: w:1一20, x:1一10, y:1一5, z:依个别成分之氧化程度所定 之数。14.根据请求专利部分第9.项之方法,其 中,复合氧化物烛媒系以下列组成物 代表: Sba一MOb一(V及/或Nb)c一Xd一 Ae一Sif-Og, 其中A代表任意之组份元素;a一g 为下列之値: a:1一100, b:1一100, c:1一50, d:1一100, e:0.1一50. f:1一100, g:依个别成分之氧化程度所定 之数。15.根据请求专利部份第14.项之方法,其 中,a一f乃具有下列之定义: a:10一100, b:1一50, c:1一20, d:10一100, e:1一20, f:10一10016.根据请求专利部分第10.项之方法,其 中,任意元素A系为Cv及/或W。17.根据请求专利部分 第10.项之方法,其 中,复合氧化物触媒之平均孔径至少 为2,000 A。
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