| 主权项 |
1﹒式(I)所示之氢芴衍生物及其盐其中R ^1为=N─R^4基团(其中之R^4为 羟基团或低级烷基团),其中R^1为= N─R^4基团(其中之R^4为羟基团或 低级烷基团),基团[其中R^5及R^6 可相同或互异,且各为氢原子,环烷基因 ,低级炔基团,苯基团,苯基─低级烷基 团,未经取代之C1─C8烷基团,具羟 基取代基之经取代─C1─C8烷基,未 经取代之低级烷醯基团,以卤素原子作为 取代基之经取代低级烷醯基团,未经取代 之啶基团,以苯基─低级烷基团作为取 代基之经取代啶基团,未经取代之啶 基─低级烷基团,以苯基─低级烷基团作 为取代基之经取代﹒啶基─低级烷基团 ,未经取代之咯烷基─低级烷基团,以 低级烷基团作为取代基之经取代咯烷基 ─低级烷基团,啶羰基团或基团(其中 A为低级次烷基,R^5a及R^6a可相 同或互异,其各为氢原子或低级烷基因, 此外,R^5a及R^6a可与彼等所键结 之邻近氮原子以及与或不与另外的氮原子 或氧原子共同形成饱和之5─或6─节杂 环基团,所述杂环基团具有1至3个选自 下列基团之取代基:低级烷基团,低级烯 基团,低级炔基团,未经取代之苯基团及 一经取代的苯基,而其取代基为1至3个 选自卤素原子及低级烷氧基团者);此外 ,所述R^5及R^6可与彼等所键结之氮 原子以及与或不与另外的氮原子或氧原子 共同形成饱和之5─或6─节杂环基团; 所述之杂环基团可具有一个氧基取代基] R^1基团(其中B为低级次烷基团;R ^25及R^26可相同或互异,其各为氢 原子,未经取代之低级烷基团,具有下列 取代基之经取代的低级烷基:低级烷基醯 基胺基团,羧基团,胺基甲醯基团或羟基 团,啶基─低级烷基团,未经取代之 咯烷基─低级烷基团,以低级烷基团作为 取代基之经取代咯烷基─低级烷基团, 喃基─低级烷基团,此外R^25及R ^26可与彼等所键结之氮原子及与或不 与另外的氮原子或氢原子共同形成饱和之 5─或6─节杂环基团,上述杂环基团可 具有1至3个选自下列基团之取代基:低 级烷基团,胺基团,以低级烷基团作为取 代基之胺基团,未经取代之苯基团及经取 代之苯基而其取代基为1至3个选自低级 烷基团,低级烷氧基团及卤素原子之取代 基者);R^2为氢原子,低级烷氧基团 或低级烷基团;R^3为氢原子,低级烷 基团,卤素原子,低级烯基团,苯基─低 级烯基团,硝基团,环烷基─低级烷基团 ,苯基─低级烷基团,低级烷氧基团,低 级烷硫基团,低级烷硫基─低级烷基团, 氰基团,低级烷醯基团,羧基团,羟基团 ,胺基─低级烷基团,以低级烷基团作为 取代基之胺基─低级烷基团,环烷基团, 于环烷基环中具有一个双键之环烯基团, 胺基团及以低级烷基团或低级烷醯基团作 为取代基之胺基团;n为0至3之整数; 氢芴骨架中4a─与9a─位置之间的碳 ─碳键系单或双键,但当氢芴骨架中4a ─与9a─位置间之碳─碳键为双键时, 则R^2不应取代在上述骨架中之9a位 置上。 2﹒根据申请专利范围第1项之氢芴衍生物, 其中,R^1为式=N─R^4基(其中R ^4乃如前所定义)。 3﹒根据申请专利范围第1项之氢芴衍生物, 其中,R^1为式基团(其中R^5及R^ 6均如前所定义)。 4﹒根据申请专利范围第1项之氢芴衍生物, 其中,R^1为式团(其中B,R^25及 R^26均如前所定义)5﹒根据申请专 利范围第3项之氢芴衍生物,其中,R^ 5及R^6可相同或互异,其各为氢原子 ,环烷基团,低级烯基团,苯基团,苯基 ─低级烷基团,未经取代之C1─C8烷 基团,以羟基团作为取代基之经取代C1 ─C8烷基团,未经取代之低级烷醯基团 ,以卤素原子作为取代基之经取代低级烷 醯基团,未经取代之啶基团,以苯基─ 低级烷基团作为取代基之经取代啶基团 ,未经取代之啶基─低级烷基团,以苯 基─低级烷基团作为取代基之经取代啶 基─低级烷基团,未经取代之咯烷基─ 低级烷基团,以低级烷基团作为取代基之 经取代咯烷基─低级烷基团,啶基羰 基团或基团(其中,A,R^5a及R^6 a均如前所定义);且氢芴骨架中4a与 9a─位置间之碳─碳键系单键。 6﹒根据申请专利范围第3项之氢芴衍生物, 其中,R^5及R^6可与彼等所键结之邻 近氮原子以及与或不与另外的氮原子或氧 原子共同形成饱和5─或6─节杂环基团 ,上述杂环基团可具有一个氧基以作为取 代基;且氮芴骨架中4a─与9a─位置 间之碳─碳键系单键。 7﹒根据申请专利范围第4项之氢芴衍生物, 其中,R^25及R^26可相同或互异, 其各为氢原子,未经取代之低级烷基团, 经取代的低级烷基,而具有下列之取代基 :低级烷醯基胺基团、羧基团、胺基甲醯 基团或羟基团,啶基─低级烷基团,未 经取代之咯烷基─低级烷基,以低级烷 基团作为取代基之经取代咯烷基─低级 烷基团,或喃基─低级烷基团;且氢芴 骨架中4a─与9a─位置间之碳─碳键 系单键。 8﹒根据申请专利范围第4项之氢芴衍生物, 其中,R^25及R^26可与彼等所键结 之邻近氮原子及与或不与另外的氮原子或 氧原子共同形成饱和5─或6─节杂环基 团,上述杂环基团可具有1至3个选自下 列基团之取代基:低级烷基团,胺基团, 以低级烷基团作为取代基之经取代胺基团 ,未经取代之苯基团,一经取代的苯基而 其取代基为1至3个选自低级烷基团,低 级烷氧基团及卤素原子者;且氢芴骨架中 4a─与9a─位置间之碳─碳键系单键 。 9﹒根据申请专利范围第5项之氢芴衍生物, 其中,R^5及R^6可相同或互异,其各 为氢原子,未经取代之C1─C8烷基团 ,以羟基团作为取代基之经取代C1─C 8烷基团,未经取代之低级烷醯基团或以 卤素原子作为取代基之经取代低级烷醯基 团。 10﹒根据申请专利范围第5项之氢芴衍生物, 其中;R^5及R^6可相同或互异,其各 为环烷基,低级烯基团,低级炔基团,苯 基团,苯基─低级烷基团,未经取代之 啶基团,以苯基─低级烷基团作为取代基 之经取代啶基团,未经取代之啶基─ 低级烷基团,以苯基─低级烷基团作为取 代基之经取代啶基─低级烷基团,未经 取代之咯烷基─低级烷基团,以低级烷 基团作为取代基之经取代咯烷基─低级 烷基团,或啶基羰基团。 11﹒根据申请专利范围第5项之氢芴衍生物, 其中,R^5及R^6可相同或互异,其各 为式基团(其中A,R^5a及R^6a均 如前所定义)。 12﹒根据申请专利范围第6项之氢芴衍生物, 其中,R^3为低级烷基团,低级烯基团 ,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷基 环中含有一个双键之环烯基团,或为低级 烷氧基团。 13﹒根据申请专利范围第7项之氢芴衍生物, 其中,R^3为低级烷基团,低级烯基团 ,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷基 环中含有一个双键之环烯基团,或为低级 烷氧基团。 14﹒根据申请专利范围第8项之氢芴衍生物, 其中,R^3为低级烷基团,低级烯基团 ,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷基 环中含有一个双键之环烯基团,或为低级 烷氧基团。 15﹒根据申请专利范围第9项之氢芴衍生物, 其中,R^3为低级烷基团,低级烯基团 ,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷基 环中含有一个双键之环烯基团,或为低级 烷氧基团。 16﹒根据申请专利范围第9项之氢芴衍生物, 其中,R^3为氢原子,苯基─低级烯基 团硝基团,环烷基─低级烷基团,苯基─ 低级烷基团,低级烷硫基─低级烷基团, 氰基团,低级烷醯基团,羧基团,未经取 代之胺基─低级烷基团,以低级烷基团作 为取代基之经取代胺基─低级烷基团,胺 基团,以低级烷基团或低级烷醯基团作为 取代基之经取代胺基团。 17﹒根据申请专利范围第10项之氢芴衍生物 ,其中,R^3为低级烷基团,低级烯基 团,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷 基团中含有一个双键之环烯基团,或为低 级烷氧基团。 18﹒根据申请专利范围第11项之氢芴衍生物 ,其中,R^5a及R^6a可相同或互异 ,其各为氢原子或低级烷基团。 19﹒根据申请专利范围第11项之氢芴衍生物 ,其中,R^5a及R^6a可与彼等所键 结之氮原子及更进一步与或不与另外的氮 原子或氧原子共同形成饱和5─或6─节 杂环基团,上述杂环基团可具有1至3个 选自下列基团之取代基:低级烯基团,低 级炔基团,未经取代之苯基团及一经取代 的苯基而其取代基为选自卤素原子及低级 烷基团者。 20﹒根据申请专利范围第12项之氢芴衍生物 ,其中,R^2为氢原子且R^3之取代位 置乃在氢芴骨架中之5─,7─或/及8 ─位置。 21﹒根据申请专利范围第13或14项之氢芴 衍生物,其中,R^2为氢原子且R^3之 取代位置乃在氢芴骨架中之5─,7─或 /及8─位置。 22﹒根据申请专利范围第4或14项之氢芴衍 生物,其中,R^3为低级烷基团,低级 烯基团,羟基团,卤素原子,环烷基环中 含一个双键之环烯基团或为低级烷氧基团 ,而所述R^3之取代位置乃在氢芴骨架 中之5─,7─或/及8─位置,R^2 5及R^26可相同或互异,其各为氢原 子,未经取代之低级烷基团,以低级烷醯 基胺基团,羧基团,胺基甲醯基团或羟基 团作为取代基之经取代低级烷基团,啶 基─低级烷基团,未经取代之咯烷基─ 低级烷基团,以低级烷基团作为取代基之 经取代咯烷基团或为喃基─低级烷基 团;且氢芴骨架中4a─与9a─位置间 之碳─碳键系双键。 23﹒根据申请专利范围第15项之氢芴衍生物 ,其中,R^3之取代位置乃在氢芴骨架 中之5─,7─或/及8─位置。 24﹒根据申请专利范围第16或17项之氢芴 衍生物,其中,R^2为氢原子且R^3之 取代位置乃在氢芴骨架中之5─,7─或 /及8─位置。 25﹒根据申请专利范围第18项之氢芴衍生物 ,其中,R^3为低级烷基团,低级烯基 团,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷 基环中含一个双键之环烯基团,或为低级 烷氧基团。 26﹒根据申请专利范围第19项之氢芴衍生物 ,其中,R^3为低级烷基团,低级烯基 团,羟基团,卤素原子,环烷基团,环烷 基环中含有一个双键之环烯基团,或为低 级烷氧基团。 27﹒根据申请专利范围第23项之氢芴衍生物 ,其中,R^2为氢原子。 28﹒根据申请专利范围第23项之氢芴衍生物 ,其中,R^3为低级烷氧基团或低级烷 基团。 29﹒根据申请专利范围第3项之氢芴衍生物, 其中,R^3为低级烷基团,低级烯基团 ,羟基团,卤素原子,环烷基环中含有一 个双键之环烯基团,或为低级烷氧基团; R^5及R^6可相同或互异,其各为氢原 子,未经取代之C1─C8烷基团,以羟 基团作为取代基之经取代C1─C8烷基 团,未经取代之低级烷醯基团,以卤素原 子作为取代基之经取代低级烷醯基团。 30﹒根据申请专利范围第29项之氢芴衍生物 ,其中,R^3之取代位置乃在氢芴骨架 中之5─,7─或/及8─位置;R^2 为氢原子;且4a─与9a─位置间之碳 ─碳键系双键。 31﹒5─甲基─7─(1─甲基─2─丙烯基 )─8─甲氧基─9─二甲胺基─1,2 ,3,4,4a,9a─六氡基芴。 32﹒5─甲基─7─(1─甲基─2─丙烯基 )─8─羟基─9─(N─甲基─N─二 醯基胺基)─1,2,3,4,4a,9 a─六氢基芴。 33﹒5,7─二甲基─8─羟基─9─正丙胺 基─1,2,3,4,4a,9a─六氢 基芴。 33﹒5─甲基─7─环己基─8─甲氢基─9 ─二甲胺基─1,2,3,4,4a,9 a─六氢基芴。 35﹒5─甲基─7─(2─环己烯─1─基) ─8─羟基─9─甲胺基─1,2,3, 4,4a,9a─六氢基芴。 36﹒5─氟基─7─(1─甲基─2─丙烯基 )─8─羟基─9─甲胺基─1,2,3 ,4,4a,9a─六氨基芴。 37﹒5─甲氧基─7─(1─甲基─2─丙烯 基)─8─羟基─9─甲胺基─1,2, 3,4,4a,9a─六氨基芴。 38﹒5─甲基─7─溴基─8─甲氢基─9─ 二甲胺基─1,2,3,4,4a,9a ─六氢基芴。 39﹒(a)下式氢芴化合物之制法其中R^2 ,R^3,n及氢芴骨架中4a─与9a ─位置间之碳─碳键均如前所定义;E为 胺基团或─(B)mCH2NH2基团( 其中B及m均如前所定义)。其系藉将下 式之氢芴化合物还原而制;D为式=N─ OH基团或式─(B)m─CH=N─O H基团(其中B及m均如前所定义)。b )式(104)氨芴化合物之制法其中R ^2,R^3,n,A,R^5a,R^6a 及氢芴骨架中4a,─与9a─位置间之 碳─碳键均如前所定义,其系藉令式(1 03)氢芴化合物其中R^2,R^3,n ,A及氢芴骨架中4a─与9a─位置间 之碳─碳键均如前所定义;且X为卤素原 子,与式(5)化合物起反应而制得其中 R^5a及R^6a均如前所定义,(c) 式(105)氢芴化合物之制法其中R2 ,R3,n,A,R^5a,R^6A及氢 芴骨架中4a─与9a─位置间之碳─碳 键均如前所定义;R^9为式基团(其中 A,R^5a及R^6a均如前所定义), 或与先前R^5之定义相同,但未经取代 之低级烷酸基团,以卤素原子作为取代基 之经取代低级烷醯基团或啶基羰基团除 外,其系藉令式(102)氢芴化合物其 中R^2,R^3,n,R^9及氢芴骨架 中4a─与9a─位置间之碳─碳键均如 前所定义,与式(6)化合物反应而制得 ,其中A,R^5a及R^6a均如前所定 义,X^1为卤素原子。(d)式(10 7)氨芴化合物之制法其中R^2,R^3 ,n,R^9及氢芴骨架中4a─与9a ─位置间之碳─碳键均如前所定义;R^ 8为未经取代之低级烷醯基团,以卤素原 子作为取代基之经取代低级烷醯基团,或 啶基羰基团,其系藉令式(106)氢 芴化合物其中R^2,R^3,n,R^9 及氢芴骨架中4a─与9a─位置间之碳 ─碳键均如前所定义与式(7)化合物反 应而制得,R^8─OH(7)其中R^8 乃如前所定义,上述式(106)氢芴化 合物可任意藉将上述式(107)氢芴化 合物水解而制得。(e)下式氢芴化合物 之制法,其中R^2,R^3,n及氢芴骨 架中4a─与9a─位置间之碳─碳键均 如前所定义;且L为式基团(其中R^9 乃如前所定义,R^10为环烷基团,低 级烯基团,低级炔基团,苯基─低级烷基 团,未经取代之C1─C8烷基团,以羟 基团作为取代基之经取代之C1─C8烷 基团,未经取代之啶基团,以苯基─低 级烷基作为取代基之经取代啶基团,未 经取代之啶基─低级烷基团,以苯基─ 低级烷基团作为取代基之经取代啶基─ 低级烷基团,未经取代之咯烷基─低级 烷基团,或以低级烷基团作为取代基之经 取代咯烷基─低级烷基团),或式基团 (其中R^27为氢原子,未经取代之低 级烷基团,以低级烷醯基胺基团,羧基团 ,胺基甲醯基团或羟基团作为取代基之经 取代低级烷基团,啶基─低级烷基团, 未经取代之略烷基─低级烷基团,以低 级烷基团作为取代基之经取代咯烷基─ 低级烷基团,或喃基─低级烷基团,R ^28与先前R^27之定义相同,惟氢原 子除外其系藉令下式之氢芴化合物其中R ^2,R^3,n及氢芴骨架中4.─与9 a─位置间之碳─碳键均如前所定义;且 G为式─NHR^9基团(其中R^9乃如 前所定义)或式─B─NHR^27基团 (其中B及R^27均如前所定义)。与 下式化合物起反应而制得,M─X^1其 中M与R^28及R^10之定义相同;X ^1乃如前所定义,但当G为式─NHR ^9基团时,则M需为R^10,此外,当 G为式─B─NHR^27基团时,则M 需为R^28,(f)下式氢芴化合物之 制法其中R^3,n及氢芴骨架中4a─ 与9a─位置间之碳─碳键均如前所定义 ;R^2为卤素原子或与先前R^2之定义 相同,Q为式基团(其中R^11为环烷 基团,低级烯基团,低级炔基团,苯基团 ,苯基─低级烷基团,未经取代之C1─ C8烷基团,以羟基团作为取代基之经取 代之C1─C8烷基团,未经取代之啶 基团或以苯基─低级烷基团作为取代基之 经取代啶基团,未经取代之啶基─低 级烷基团,以苯基─低级烷基团作为取代 基之经取代啶基─低级烷基团,未经取 代之咯烷基─低级烷基团,以低级烷基 团作为取代基之经取代咯烷基─低级烷 基团;R^11a为氢原子或与R^11之 定义相同之此外R^11及R^11a可与 彼等所键结之氮原子及更进一步与或不与 另外之氮原子氧原子共同形成饱和5─或 6─节杂环基团,上述杂环基团可具有一 个氧基作为取代基),或式(B)m(其 中B,m,R^25及R^26均如前所定 义)其系藉将下列氢芴化合物还原而制得 ,其中,R^3,n,R^2及氢芴骨架中 4a─与9a─位置间之碳─碳键均如前 所定义;P为式基团(其中R^11及R ^11a均如前所定义)或基团(其中B ,m,R^25及R^26均如前所定义) ,但当P为式基团时,则R^2需与R^2 之定义相同。(9)式(112)氢芴化合物之制法,其中R ^1,R^2及氢芴骨架中4a─与9a─ 位置间之碳─碳键均如前所定义;R^3 a与先前R^3之定义相同,但当至少一 个R^33需为卤素原子时,n"为1至3 之整数。其系藉将式(111)氢芴化合 予以卤化而制得,其中R^1,R^2,R ^3及氢芴骨架中4a─R^9a─位置间 之碳─碳键均如前所定义;且n'为0至 2之整数。(h)式(114)氢芴化合 物之制法其中R^2,R^3,n,R^9 及氢芴骨架中4a─与9a─位置间之碳 ─碳键均如前所定义;且R^12为低级 烷基团,其系藉将式(113)氢芴化合 物还原而制得,其中R^2,R^3,n, R^9及氢芴骨架中4a─与9a─位置 间之碳─碳键均如前所定义:且R^8为 低级烷醯基团。(i)式(123)氢芴 化合物之制法其中R^1,R^2,R^3 ,n'及氢芴骨架中4a─与9a─位置 间之碳─碳键均如前所定义;且R^23 为低级烷基团,其系藉含式(12)氢芴 化合物其中R^1,R^2,R^3,n', 且氢芴骨架中4a─与9a─位置间之碳 ─碳键均如前所定义,与式(16)化合 物起反应而制得,R^23─X^1(16 )其中R^23及X^1均如前所定义,式(122)化合物可藉任 将式(123) 化合物进行催化性氢化作用或进行水解作 用而得。(j)式(129)氢芴化合物 之制法,其中R^2,R^3,n及氢芴骨 架中4a─与9a─位置间之碳─碳键均 如前所定义;Z为甲川基团,氮原子或氢 原子;R^35为氢原子或氧基团;且a 为1或2,其系藉含式(102)氢芴化 合物其中R^2,R^3,n及氢芴骨架中 4a─与9a─位置间之碳─碳键均如前 所定义与式(24)化合物起反应其中X ,X^1,R^34,Z及a均如前所定义 。 40﹒用以改良无血氧及血氧过低症状之制药组 成物,其含有作为有效成份之申请专利范 围第1项所请之式(1)的氢芴化合物或 其盐。 41﹒一种使胆素激导性神经系统活化之组成物 ,其包含有作为有效成份之申请专利范围 第1项所请之式(1)为氢芴化合物或其 盐。 42﹒一种抗氧化组成物,其包含有作为有效成 份之申请专利范围第1项所请之式(1) 的氢芴化合物或其盐。 |
