发明名称 电浆处理方法及其产品
摘要 由化学蒸汽反应在一表面上覆盖碳膜。在沉积碳膜之前,一氮化矽膜覆在这表面上以防止在碳膜和其下表面间的相互扩散。
申请公布号 TW146945 申请公布日期 1990.12.01
申请号 TW078107552 申请日期 1989.10.02
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 小綦政弘;山崎舜平;石田典也;伊藤健二;竹山顺一;佐佐木麻里;林茂则
分类号 H05H15/00 主分类号 H05H15/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 l.一种将一碳膜覆盖在一基体上的方法包括下列步骤:在反应槽中沉积该基体;引入第一反应气体,此反应气体包含氮气且能用化学蒸汽反应制造氮化物;输入能量至该第一反应气体以经由该化学蒸汽反应在该基体上淀积氮化物膜;引入包含碳和氟之第二反应气体;及输入能量至该第二反应气体以在该氮化物膜上淀积包含氟之碳膜。2.如申请专利范围第l项的方法,其中该第一反应气体包含氮及矽且能经中化学蒸汽反应制造氮化矽。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该第一反应气体包含矽烷及阿摩尼亚。4.如申请专利范围第3项的方法,其中该矽烷是矽乙烷。5.如申请专利范围第1项的方法,其中该第二反应气体包含一碳氢化物及氟化碳。6.如申请专利范围第l项的方法,其中该氮化物膜之厚度是从0.01微米到0.l微米。7.如申请专利范围第1项的方法,其中该碳膜是申一似钻石的碳膜所组成。8.如申请专利范围第l项的方法,其中该基体是用于车窗的透明窗玻璃片。9.一种在基体上选择性地形成能有膜的方法包括下列步骤:在该基体上覆以光罩;除了覆以光罩之部份外,在该基体表面制造刮痕;去除该光罩;且置该基体于反应槽中;在该反应槽中,经由化学蒸汽反应,在该基体被刮过的表面上成长一钻石膜。10.如申请专利范围第9项的方法,在光罩覆盖步骤之前,进一步的包含一在该基体上覆以氯化物膜的步骤。11.如申请专利范围第l0项的方法,其中该钻石成长步骤在不低于350℃的温度中执行。12.如申请专利范围第11项的方法,其中该刮痕步骤是将该基体浸于一充满坚硬颗粒的液体中,与加以超音波震荡完成。13.如申请专利范围第12项的方法,其中该坚硬颗粒是钻石颗粒。14.一种保护膜覆在基体上以提供所述基体防磨损表面,让保护膜包含一直接淀积于该基体上的氮化物膜及一包含氟之碳膜淀积于该氮化物膜上。15.如申请专利范围第14项的保护膜,其中该氮化物膜是由氮化矽组成。图示简单说明:图1是一个平面图,显示使用以前的技术时,碳原子渗入其下矽基体的构形。图2是一个剖面概图,用以显示根据本发明的实施例一部电浆化学蒸汽沉积的设备。图3是一个平面图,显示使用本发明后,碳原子渗入其下矽基体的情形。图4是一个截面图,显示根据本发明,一个用于复印机的印刷鼓,覆上一层碳保护膜的情形。图5(A)和5(B)是垂直和水平方向的截面图,显示根据本发明,摩托车的窗玻璃覆以碳保护膜的情形。图5(C)是一个截面概图,显示对图5(A)及5(B)实施例的修正。图6是一个剖面概图,'颗示使用本发明的一个实施例所做的微波辅助化学蒸汽沉积设备。图7(A)到7(C)是截面图,显示根据本发明,在卡紧上覆以碳膜的过程。
地址 日本