| 主权项 |
1.一种薄膜制作方法,主要系,以至少具有2个真空 室(3 、5)的薄膜制作装置被实施,在前述实空容器(3.5) 之中 的1个,以真空环境在晶片(11)制作薄膜之薄膜制作 方法 ,其特征为,包括i)在前述薄膜制作处理前,把前述 晶片 (11)搬送到为清净前述晶片(11)表面所使用的前述 真空容 器(5)之1个,在前述晶片表面洗净用真空容器(5)使 前述 晶片(11)的被处理之表面向下地配置,在前述晶片 表面洗 净用真空容器(5)导入蚀刻用气体且使之发生等离 子区而 将前述晶片(11)的前述被表面清洗之清洗步骤,该 清洗步 骤系关于所定张数的前述晶片被重覆实行,ii)对前 述所 定张数之前述晶片实施前述清洗步骤后,在前述晶 片表面 洗净用真空容器(5),把粒子检查用的模拟晶片搬送 ,将 附着在前述模拟晶片之粒子检出的粒子检出步骤, iii)和 判定被检出之前述粒子是否为所定基准以上的粒 子发生判 定步骤,iv)和被检出之前述粒子为前述所定基准以 上时 ,在前述晶片表面洗净用真空容器(5)导入反应性气 体使 等离子区发生,把在该晶片表面洗净用真空容器(5) 发生 的堆积膜及粒子以前述等离子区使之气化的气化 步骤,(v )和把气化之前述堆积膜及粒子排气到前述晶片表 面洗净 用真空容器(5)之外的排气步骤者。2.如申请专利 范围第1项所述之薄膜制作方法,其中,在 前述排气步骤,把前述晶片表面洗净用真空容器(5) 的内 壁及被配置在该内壁附近之屏蔽板(16)加热,直到 前述晶 片表面洗净用真空容器(5)内的压力变成所定之压 力为止 进行前述排气者。3.如申请专利范围第1项所述之 薄膜制作方法,其中,将 前述清洗步骤,和前述粒子检出步骤,和前述粒子 发生量 判定步骤,和述气化步骤,和前述排气步骤所成的 一连串 工程重覆实施者。4.如申请专利范围第1项所述之 薄膜制作方法,其中,把 前述晶片(11)搬入到前述晶片表面洗净用真空(5)容 器时 ,或把前述晶片(11)从前述晶片表面洗净用真空容 器(5) 搬出时,前述晶片(11)的前述处理表面为向下之状 态者。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜制作方 法,其中,在 前述清洗步骤和前述气化步骤被生成的前述等离 子区,系 由磁控管放电被制作者。6.如申请专利范围第1项 所述之薄膜制作方法,其中,反 应性气体为CF4气体者。7.如申请专利范围第1项所 述之薄膜制作方法,其中,前 述晶片的前述所定数为50张者。8.如申请专利范围 第1项所述之薄膜制作方法,其中,在 前述粒子发生量判定步骤的前述所定基准,系在6 英寸之 前述模拟晶片上,有0.28m以上的粒子30个以上 存在 者。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜制作方法, 其中,前 述蚀刻用气体为氩气者。10.如申请专利范围第2项 所述之薄膜制作方法,其中,把 前述被加热的内壁及被配置在该内壁附近之屏蔽 板(16)设 定在约100℃的温度者。11.如申请专利范围第2项所 述之薄膜制作方法,其中,前 述所定的压力为10-6-10-7Torr程度者。12.一种薄膜制 作装置主要系至少备有2个真空容器(3.5) 的薄膜制作装置,前述真空容器(3.5)之1个,系做为 进 行薄膜制作处理的前处理被进行蚀刻处理之晶片 表面洗净 用的真空容器(5),其特征为,该晶片表面洗净用真 空容 器(5)系备有,将前述晶片表面洗净用真空容器(5)予 以真 空排气用的排气装置(6.7),和把蚀刻用气体导入用 之气 体导入装置(8),和为了使堆积膜及粒子(15)气化用 的反 应性气体予以导入用之气体导入装置(9),和被配置 在前 述真空容器(5)内的上方位置之基板保持装置(10), 和被 配置在前述真空容器(5)内的下方位置之放电发生 装置(12 、13),和沿着前述真空容器(5)的内壁部被配置之屏 蔽板 (16),和为了把前述真空容器(5)的内壁部与前述屏 蔽板( 16)予以加热用之加热装置(17)者。13.如申请专利范 围第12项所述之薄膜制作装置,其特征 为,前述排气装置,系由涡轮分子泵(6)与油旋转泵(7 )所 |
