| 主权项 |
1﹒一种磁碟记录系统,包含了:设有一记录表面的磁性记录介质;一薄膜磁头及一支撑上述磁头的空气轴承浮动块;用来支撑上述空气轴承浮动块的磁头臂装置,而使上述磁头靠近上述磁性记录介质的记录表面附近;进出装置,系用以支撑上述磁头臂装置,A系用以相对于上述磁性记录介质的记录表面而移动上述磁头臂装置;上述薄膜磁头包含了一自一背隙区延伸到一感测边缘的第一磁轭层;一第二磁轭层,其系在上述背隙区与上述第一磁轭层相接触,且其系在与上述第一磁轭层成一直线但保持分离之位置而延伸,到上述感测边缘;以及一磁极尖构造,其保包含了一第一磁极尖、一背隙形成层、及一第二磁极尖﹒而每一构件皆有大体上相同的宽度,上述磁极尖构造位于上述第一与上述第二磁轭层之间,且自上述感测边缘延伸到一零点喉部位置,其中上述第一磁极尖系自上述感测边缘到上述零点喉部位置间与上述第一磁轭层相接触,且上述第二磁极尖系自上述感测边缘到上述零点喉部位置间与上述第二磁轭层相接触。2﹒一种设有一磁性回路之薄膜磁头,包含了一第一磁轭层,其系自一背隙区延伸到一感测边缘;一第二磁轭层﹒其系在上述背隙区与上述第一磁轭层相接触,且其系在与上述第一磁轭层成一直线但保持分离之位置而延伸到上述感测边缘;以及一磁极尖构造,其系包含了一第一磁极尖,一背隙形成层、及、第二磁极尖,而每一构件皆有大体上相同的宽度,上述磁极尖构造位于上述第一与上述第二磁轭层之间,且自上述感测边缘延伸到一零点喉部位置,其中上述第一磁极尖系自上述感测边缘到上述零点喉部位置间与上述第一磁轭层相接触,A上述第二磁极尖系自上述感测边缘到上述零点喉部位置间与上述第二磁轭层相接触。3﹒根据申请专利范围第2项之薄膜磁头,其中上述第一磁轭层在上述感测边缘系较上述磁极尖构造为宽,且上述第二磁轭层在上述感测边缘系较上述磁极尖构造为窄。4﹒根据申请专利范围第2项之薄膜磁头,其中上述第一与上述第二磁轭层在上述感测边缘系较上述磁极尖构造为宽。5﹒根据申请专利范围第3项之薄膜磁头,其中上述背隙形成屑界定了一间隙长度为G之换能间隙,而且其中上述第一与上述第二磁极尖层之厚度系大于2G。6﹒根据申请专利范围第4项之薄膜磁头,其中上述背隙形成层界定丁一间隙长度为G之换能间隙,而且其中上述第一与上述第二磁极尖层之厚度系大于2G。7﹒根据申请专利范围第1项之薄膜磁头,其中上述零点喉部位置系由自上述感测边缘所延伸出来的上述磁极尖构造之边缘所界定。8﹒一种用以制造一薄膜磁头的方法,包含了下列各步骤:沉积一第一磁轭层,其系自一背隙区延伸到一感测边缘;沉积一磁极尖构造,其保包含了一第一磁极尖层,一背隙形成层、及一第二磁极尖层,而每一构件皆有一大体上相同的宽度,上述磁极尖构造系被沉积到一位置,使得上述第一磁极尖层在上述感测边缘与上述第一磁轭层相接触;以及沉积一第二磁轭层,其系在一背隙区与上述第一磁轭层相接触,且在上述感测边缘与上述第二磁尖层相接触。9﹒根据申请专利范围第8项之薄膜磁头的方法,包含了下列额外的步骤:在上述第一磁轭层之上沉积一可作成式样之层,且将上述可作成式样之层作成式样以便形成一开口,而此开口系对着接近上述感测边缘的上述第一磁轭层之一部份排列。10﹒根据申请专利范围第9项之薄膜磁头的方法,包含了下列轭外的步骤:利用上述开口而界定上述磁极尖构造。11﹒根据申请专利范围第10项之薄膜磁头的方法,其中沉积上述磁极尖构造的步骤系由电镀法而完成。12﹒根据申请专利范围第9项之薄膜磁头的方法,其中储量靠近上述背隙区的上述磁极尖构造之边缘界定了一零点喉部位置。13﹒根据申请专利范围第12项之薄膜磁头的方法,其中上述第一与上述第二磁轭层系在一自上述零点喉部位置延伸到上述背隙区的区域中相互分离,且在上述相互分离的区域中形成一线圈构造,而上述线圈构造与上述磁轭构造系电气绝缘。14﹒根据申请专利范围第12项之薄膜磁头的方法,其中上述可作成式样之层系一种光阻抗蚀材料。15﹒根据申请专利范围第14项之薄膜磁头的方法,其中上述光阻抗蚀材料系被烤硬且保留在上述磁头,作为上述线圈构造的上述电气绝缘之一部份。16﹒根据申请专利范围第12项之薄膜磁头的方法,其中上述可作成式样之层系一种绝缘材料。图示简单说明图:是一磁碟储存系统之示意透视图图2是一习用技术薄膜磁头第一实施例中磁极尖之空气轴承表面图。圆3是一习用技术薄膜磁头第二实施例中磁极尖之空气轴承表面图。图4是根据本发明的薄膜磁头矿极尖之空气轴承表面图。图5是根据本发明的薄膜磁头磁极尖之透视图。图6是根据本发明的薄膜磁头之平视图。图7是沿着图6中6一6线之剖面图图8是根据本发明的薄膜磁头另一实施例中磁极尖之空气轴承表面图。图9是显示用来制造根据本发明薄膜磁头的磁极尖制程顺序之一系列透视图A一F。图10是显示用来制造根据本发明薄膜磁头的磁极尖制程顺序另一实施例之一系列透视图A一0。 |
