| 主权项 |
1﹒一种示于下式[I]之羧酸酯化合物:式中,Ro为具7 ─10碳原子之 直链烷氧基;且一种示于下式[I]之羧酸酯化合物: 式中,R1为具7 ─10碳原子之直链烷氧基;而C*为不对称碳原子;且R 2为具2─6 碳原子之烷基。 3﹒一种示于下式[I]之液晶化合物:式中,Ro具7─10 碳原子之直链 烷气基;且4﹒一种示于卜式[Ⅱ]之液晶化合物:式 中,R1为具7─ 10碳原子之直链烷氧基;C*为不对称碳原子;且R2为 具2-6碳原 子之烷基。 5﹒如申请专利范围第3项之液晶化合物,其系用于 液晶材料中。 6﹒如申请专利范围第4项之液晶化合物,其系用于 液晶材料中。 7﹒一种液晶元件,其包括组件(cell)及两偏光板,各 偏光板位于组件 之一外侧,该组件系由两个彼此相对排列且中间留 有空隙之透明基板(s ubstrate)所组成;且有透明电极位于各基板之内面, 该空隙填 以液晶材料,且该透明电极经表面配向处理( orientationt reatment其中:该二偏光板被排列成使偏光板之偏光 面形成角度 在70─110之范围中,且该填有液晶材料之组件以 相对于穿透元 最暗或最亮之组件位置的10至-10角度排列于偏 光板间;且该 液晶材料包含如申请专利范围第3或4项所述之液 晶化合物。 8﹒如申请专利范围第7项之元件,其系被施加电场 。 9﹒如申请专利范围第8项之元件,其中液晶元件之 透光量藉施于元件而在正 电压及负电压间改变之电压而改变。 10﹒如申请专利范围第8项之元件,其中施于液晶元 件而在正电压及负电压 间变化之窗场波型系选自含有矩形波,三角波,正 弦波及其组合之群。 11﹒如申请专利范围第10项之元件,其中施于液晶 元件之电场波型为矩形 波且该矩形波之最小宽度不多于10msec。 12﹒如申请专利范围第8项之元件,其中液晶元件之 透光量藉施加于液晶元 件而在0及正电压间,或0及负电压间改变之电压而 变化。 13﹒如申请专利范围第10或12项之元件,其中藉施加 于液晶元件而在O 及正电压,成0及负电压间变化的电压之电场波型 选自含有矩形波,三 角波,正弦波及其组合之群。 14﹒如申请专利范围第13项之元件,其中施于液晶 元件之电场波型波型为 矩形波且该矩形波之最小宽度不多于10msec。图示 简单说明 图1为说明强诱电性液晶各分子之主 动与层列性相之垂直向E成一倾角,各层 列性之倾向以明确角度逐个旋转,由是形 成螺旋结构之图。 图2为说明可达两种定向之习用薄膜 元件状态之图。 图3为显示反一4一(4'-〈 6''一n一癸氧一2''一系醯氧)苯 基)环己烷羧酸1''一三氟甲基庚酯 之1H一NMR光谱之图。 图4为显示1,2,3,4一四氢一 6一(6'一n一庚氧一2'一39醯氧) 蔡一2一羧酸之R一1''一三氟甲基庚 酯之1H一NMR光谱之图。 图5为显示本发明液晶元件之实例之 图示切面视图。 图6及7各为显示施加三角波于本发 明液晶元件(其中液晶组件排列成保持最 暗态)之情况下电压及透光强度间关系的 示波相片。 图8及9各为在施加三角波于本发明 液晶元件(其中液晶组件排列成保持最亮 态)之情况下显示电及透光强度关关系之 示波相片。 |
